NVE对Everspin提自旋电子MRAM专利侵权诉讼

专门授权自旋电子(spintronics)磁阻随机存取内存(MRAM)技术的自旋电子组件开发商NVR公司表示，该公司已于美国联邦法院对 MRAM 供货商Everspin Technologies提出侵权诉讼，以捍卫其自旋电子 MRAM 专利技术。
NVE公司指出，在美国明尼苏达州地方法院提起的这项诉讼案指控Everspin侵犯了NVE公司的三项 MRAM 专利。根据NVE公司表示，该侵权诉讼将寻求法院的禁制令，以迫使Everspin公司停止继续使用该技术，并针对其侵权行为造成的NVE财务损失进行求偿。
「多年来我们已经为此投入大量研发资源，现在我们将好好捍卫我们的权利以保护这些投资。」NVE公司总裁兼CEO Daniel Baker在一份声明中表示。
但Everspin公司并未立即对此诉讼发表任何评论。
NVE公司一直致力于商用化自旋电子组件--这项奈米技术主要是利用电子自旋(而非电荷)特性，以撷取、储存并传送信息。该公司利用该技术制造出许多高性能的自旋电子组件，包括传感器与耦合器，以用于撷取与传送信息;同时，该公司也授权自旋电子 MRAM 技术。
自1990年代即已展开研发的 MRAM 是一项非挥发性的内存技术，通常被视为一种市场利基型技术，不过， MRAM 技术的支持者深信，该技术终将获得市场的广泛接受。