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[导读]近日,由科达半导体公司主导、联合其他两家单位共同实施的《汽车用IGBT芯片及模块研发与产业化》项目,被财政部、工业和信息化部确定为2011年度电子信息产业发展基金项目,并获得500万元资金扶持。《汽车用IGBT芯片及

近日,由科达半导体公司主导、联合其他两家单位共同实施的《汽车用IGBT芯片及模块研发与产业化》项目,被财政部、工业和信息化部确定为2011年度电子信息产业发展基金项目,并获得500万元资金扶持。
《汽车用IGBT芯片及模块研发与产业化》项目总投资4000多万元,项目完成时,将达到年产10万个汽车点火器、8万个IGBT芯片及1万个IGBT模块的生产能力,对满足汽车点火器新能源汽车快速充电系统、逆变驱动系统所需IGBT,促进我国新型电力电子器件技术进步及产业发展,具有积极的推动作用。
科达半导体公司自成立以来,通过引进各类国际先进的技术开发和试验测试设备,目前已经建立新型功率半导体设计中心、国内最先进的功率半导体测试实验室、功能齐全的功率半导体器件可靠性实验室和国内首条IGBT专用超薄晶片加工后道生产线,成为国内首家实现IGBT芯片量产销售的企业,处于行业领先地位。
科达半导体公司注重科技创新和技术研发,实施的绝缘栅双极晶体管产业化项目,获得国家发改委电力电子产业化专项最高额度扶持1500万元,被列为科技部火炬计划、山东省重大建设项目;实施的1200V绝缘栅双极型晶体管(IGBT)项目,获得科学技术部颁发的国家重点新产品证书;实施的节能汽车与新能源汽车专用IGBT芯片研发与产业化项目,被列入山东省自主创新成果重大转化项目,并获得东营市十佳科技创新成果奖。
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