SiC国际会议：从功率元件到传感器和集成电路

作为新一代功率半导体材料而备受关注的SiC国际会议“ICSCRM2011”于2011年9月11～16日(当地时间)在美国俄亥俄州克利夫兰举行。会上围绕着SiC基板(晶圆)、元件工艺、各种元件以及相关电路应用等题目进行了成果发表。虽然以SiC制功率元件相关成果为中心，但发表的内容其实涉及多个方面。比如，还有采用SiC制成的传感器及可支持高温工作的集成电路，以及SiC材料金刚石和在SiC基板上形成石墨烯等成果发表。
普通演讲包括口头演讲127项，展板发表252项，合计379项，与例年相同。此外还有30项特邀演讲和31项消息公报(LateNews)。发表者按地区划分为美国占36%、亚洲及大洋洲占33%、欧洲占31%。
在会议的构成上，增加了反映SiC晶圆研发活跃现状和体结晶生长相关的两个会议。另外还新设了独立的石墨烯会议。
会议首先推出了两项主题演讲。一是美国国家可再生能源实验室(National Renewable Energy Laboratory，简称NREL)的JerryM.Olson所做的利用III-V族半导体材料的高效聚光型太阳能电池的演讲，另一个是美国能源部(DOE)下属机构高级能源研究计划署(Advanced Research Projects Agency-Energy，简称ARPA-E)的RajeevRam所作的题为“SiC对推进清洁能源革新的宽带隙半导体的作用”的演讲。该演讲令人感到在太阳能发电系统、节能及智能电网等方面，以SiC为代表的宽带隙半导体元件被寄予了厚望。