第三代半导体碳化硅项目落户中关村海淀园
时间：2011-06-22 11:20:34
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[导读]经过近一年的推进工作，美国罗格斯大学赵建辉教授的第三代半导体碳化硅（ＳｉＣ）外延及器件产业化项目，目前已确定落户中关村海淀园。
该项目中试及初期生产场地最终确定在海淀东升科技园，目前已签订租赁协议。该项
经过近一年的推进工作，美国罗格斯大学赵建辉教授的第三代半导体碳化硅（ＳｉＣ）外延及器件产业化项目，目前已确定落户中关村海淀园。
该项目中试及初期生产场地最终确定在海淀东升科技园，目前已签订租赁协议。该项目致力于开拓第三代半导体碳化硅的全球市场，建设碳化硅半导体产业群，形成中国的“碳化硅谷”。
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