海力士半导体30纳米工艺转换遇瓶颈

全球主要DRAM内存芯片业者陆续投入微细制程转换作业，然而海力士半导体(Hynix)在转换到30纳米制程上正遭遇瓶颈。在微细制程转换竞争中，一直紧追在海力士之后的尔必达(Elpida)，可能会更快完成制程转换作业，并动摇海力士数年来维持的竞争力。对此说法，海力士反驳道，目前皆依照计划日程顺利进行转换中。

南韩相关业者引用DRAMeXange报告指出，三星电子(SamsungElectronics)、海力士、尔必达等主要DRAM内存芯片业者展开转换至30纳米等级以下微细制程的激烈竞争，其中三星与其他竞争业者维持相当大的差距。

三星30纳米制程比重持续扩大，至2011年底预估将可扩大至50%。尔必达计划从6月开始投入30纳米制程量产，以年底达到整体产量50%为目标积极作业中。

而海力士从2011年第1季开始在30纳米制程中首度采用6F2Layout进行生产，但至2011年下半在扩大30纳米制程比重仍受限制，主要原因在海力士是首度在30纳米制程中采用6F2技术，而30纳米制程转换作业又有技术上的困难。南韩证券专家对海力士是否能顺利扩大30纳米制程比重也抱持尚待观察的态度。

9个多月前三星便已开始转换到30纳米制程，目前仍未能大幅扩大比重，而海力士转换制程至今约4个月，仍难说会有怎样的成果。南韩MiraeAssetSecurities分析师表示，40纳米以下的制程比起现有制程，在技术方面的难易度较高，因此较难预测未来是否能顺利转换成功。三星从以前就已经使用6F2技术，而海力士则是从30纳米制程才开始采用6F2技术，在扩大比重方面较难抱持乐观态度。如果海力士在转换到30纳米制程上仍无法摆脱瓶颈，恐怕会被尔必达赶过。

对于外界的评价，海力士表示，进行尖端技术开发已有一段时日，且扩大资本支出，在扩大比重方面不会有问题。海力士相关人员表示，从第1季开始投入30纳米DRAM量产，计划至年底将比重扩大至40%。且海力士为了使用6F2技术，从过去就已持续进行相关研究，目前正顺利进行制程转换当中，在扩大比重方面也将会依照日程顺利进行。