中芯国际公布2010年全年业绩

中芯国际集成电路制造有限公司（以下简称“中芯国际”），中国规模最大、技术最先进的集成电路代工厂，日前宣布截至二零一零年十二月三十一日止年度的经审核合并业绩。

摘要资料包括：
销售额由二零零九年的1,070.4百万美元增加45.3%至二零一零年的1,554.8百万美元，主要是由于整体晶圆付运量增加所致。二零一零年全年，晶圆总付运量为1,985,974片8?等值晶圆，较去年增加44.3%。
本公司付运晶圆的平均售价由每片晶圆778美元增加0.6%至每片晶圆783美元。倘剔除DRAM业务的收益，利用0.13微米或以下?程技术的晶圆收入所?百分比在上述两个期间自47.5%升至54.5%。
本公司二零一零年的收入净额为14.0百万美元，而二零零九年则有962.5百万美元的亏损净额。
业务回顾
尽管二零一零年的营商环境严峻，但中芯国际按新高管人员的方针，继续扩充产品组合与客户群。本公司仍持续受惠于其位于规模最大、增长最快的中国集成电路市场的策略性地位，目睹国内稳定增长，尤其是振兴经济计划点燃强劲内需。鉴于本公司业务于二零一零年开始改善与恢复，加上产能利用率于第四季反弹至96.8%，本公司来自更先进0.13微米及以下?程的收益录得大幅增长。

财务回顾
二零一零年，本公司经营活动所得现金为694.6百万美元。二零一零年资金开支总计728百万美元，主要用于研发65纳米技术、45纳米技术及32纳米技术以及北京晶圆厂拓展及发展的12?先进技术。迈步向前，我们将继续增加资金开支，改善效能，培育创意，充实财力，维持我们持续的盈利能力。

客户及市场
中芯国际的客户遍布全球，包括主要的集成设备?造商、芯片设计公司及系统公司。凭藉本公司于中国的策略优势，年内本公司于大中华市场的业务增长强劲，对收益总额的贡献自二零零九年的35%增至二零一零年的39%。
按地区收入计算，北美客户贡献收益总额的55%，仍属于中芯国际二零一零年最大的客户组别，反映先进制程的强劲增长。于其他地区，中国本土客户于二零一零年的贡献收益总额为28%，台湾客户紧随其后贡献11%。
通讯产品?贡献收益总额的49%，继续成为本公司最大业务分部。同样地，消费产品贡献的收益比例自二零零九年的38%增至二零一零年的40%。本公司的北美客户（包括主要的集成设备?造商及芯片设计公司）对通讯产品（主要为移动电话、网络及WLAN（无线区域网络）应用产品）的需求强劲，而中国客户则对消费及通讯产品（包括数码电视、电视机顶盒、移动电话，可携式媒体播放器(PMP)及个人电子助理(PDA)产品）的需求强劲。

在按技术标准划分的收益方面，0.13微米及以下?程的收益自二零零九年的48%增至二零一零年的52%，而65纳米技术对二零一零年晶圆收益贡献5%。另外，45纳米低功耗技术开发如期进行，本公司同时将技术供应扩展至40纳米，另外扩充至包括55纳米。
二零一零年，本公司新增41名客户，大部分新客户为中国的芯片设计公司，本公司营收因此录得高速增长。尤其是，无论按收益计算，抑或按?用先进技术的新产品（部分为65纳米技术）数量计算，本公司的中国业务一直稳步增长。此项趋势亦显示，中国的创新与设计能力正以高速赶上世界各国。在中国的芯片设计公司中，具备创新设计与产品且潜力优厚的一众新星持续出现，本公司为该等公司提供多款应用技术，包括CMOS图像感应器(CIS)、CMMB移动电视、高清电视、RFID、无线产品及其他产品。为达到此项目标，中芯国际维持与中国现有客户及新增客户一贯合作承诺，进而?稳作为市场上领先代工企业的地位，与此同时，本公司将继续拓展全球市场。
研发
本公司二零一零年的研发开支为174.9百万美元，?本公司销售额11.2%。
研发工作主要集中于本公司的逻辑晶圆及系统晶片(SOC)业务。中芯国际于二零一零年开创多个重要里程碑。年初，中芯国际向格科微电子以CMOS图像传感器加工技术交付10万片8?晶圆。Synopsys于5月宣布开始提供用于65纳米低漏电工艺技术的经硅验证和获得USB标志认证的DesignWareUSB2.0nanoPhy知识产权。此外，本公司与领先芯片设计公司合作无间，共同研发65纳米及40纳米的低漏电工艺技术。至于系统晶片(SOC)之技术，ARM与中芯国际协定在65纳米和40纳米低漏电工艺节点上合作开发先进的ARM领先物理IP库平台。我们65纳米低漏电工艺已成功步进量产阶段，自二零零九年第三季度量产开始，累计已付运晶圆超过1万片，大多在其北京300mm芯片厂生产。

本公司聘