欧司朗光电半导体生产基地进行芯片制造升级和产能扩充
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通过这一系列举措,欧司朗光电半导体将因应国际 LED 市场的增长潜力,趁势扩充雷根斯堡和槟城两个芯片制造基地的产能,进一步夯实其在国际市场的领先地位。槟城芯片制造厂开业不到两年,如今已迎来扩建升级至 6 英寸晶圆制造基地的大好时机,总厂房面积到 2012 年将升至 25,000 平方米,新增 400 个工作岗位。在雷根斯堡基地,将重新规划可用空间,最早于 2011 年夏开始对 InGaN(氮化铟镓)生产进行逐步升级。
欧司朗光电半导体首席执行官 Aldo Kamper 先生表示:“通过扩充高性能 InGaN 芯片的产能,我们正一如既往地巩固我们的市场地位。LED 市场在许多不同的应用领域具有很大的增长潜力,我们将继续利用这一推动力不断成长。欧司朗光电半导体是欧司朗 LED 技术增值链中的一个重要环节。”
这次产能扩充主要会影响采用薄膜和 UX:3 技术的 InGaN 芯片,而这是生产白光 LED 时所必需的。今后,这些芯片都将从一开始就在 6 英寸晶圆上制造,而不再基于目前直径为 4 英寸的晶圆。
芯片制造厂正在扩建:欧司朗光电半导体的马来西亚槟城基地正在兴建新厂房。
更大的芯片表面推高产能:欧司朗光电半导体正在将其 InGaN 芯片生产基地升级为 6 英寸晶圆基地。
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