台湾ACE为本土厂商提供高性价比美国IC
时间：2011-03-08 11:41:34
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[导读]关键字： ACE Technology 松翰 智微 2011年深圳，台湾爱喜益科技有限公司(ACE Technology Co., LTD)携手其代理
关键字： ACE Technology 松翰 智微 2011年深圳，台湾爱喜益科技有限公司(ACE Technology Co., LTD)携手其代理商深圳市欣诺泰电子有限公司(Notec Technology Shenzhen Agency)首度登上IIC-China的舞台，为本土工程师推荐来自台湾地区的ACE公司及其产品。
ACE是一家IC设计公司，成立于2001年，主要提供Power类的电源管理IC和内存类IC。产品经理吴宏彦表示，ACE公司地IC设计技术和研发主要在美国矽谷，同时印度也有一个研发中心，而台湾地区的分公司主要是负责业务拓展和提供服务和技术支持。
ACE今年的主打产品将是SPI NOR FLASH系列IC，据悉该系列将在4月开始量产第一款产品，4M bit的ACE25。吴宏彦表示，这颗IC具有非常明显的价格优势，估计售价大约为0.13美元。ACE25的具体参数如表1所示，表1中还有另外两款将在今年发布的新产品16通道恒流LED驱动ACE711和集成P-MOSFET的LDO模式过压保护IC ACE516。
目前，ACE的EEPROM系列产品线已经非常成熟，并被市场所广泛接受。ACE的EEPROM系列产品如下列表2所示。
据悉，ACE进入中国大陆市场的时间较晚，大约在2007年才开始进入。不过在短短几年的时间，ACE实现了中国大陆市场的巨大增长，仅去年一年，ACE中国大陆市场便达到了3倍的增长。吴宏彦透露，ACE去年的营业额达到1亿元人民币。
目前，ACE的许多产品都被松翰和智微的方案广泛采用。下面图片列举了一些已经商用的方案实例。吴宏彦表示，希望通过IIC的平台让更多中国本土厂商认识ACE，经过三天的展出，也收获了不少信息、资源。
ACE为本土厂商提供高性价比美国IC(电子工程专辑)>
报道：Ana Hu
End of article 关键字： NOR 孙昌旭 NOR闪存
在日前第十届国际集成电路展(IIC)上，Spansion公司展示了据称目前最高密度的NOR闪存??单芯片512Mb的NOR闪存，并且还展示了萨基姆(Sagem)公司采用该闪存的一款手机。“我们的512Mb NOR闪存是目前进入量产的单片最高NOR闪存。”该公司副总裁王光伟表示。Spansion公司由AMD和富士通公司的闪存部门合并而成，该公司在2004年正式更名为Spansion LLC。
目前，英特尔与Spansion公司是垄断NOR闪存市场的两巨头。据调研公司iSuppli公司的数据显示，虽然2004年全年Spansion在该领域的份额超过了英特尔，但是在后两个季度英特尔的销售量又超过前者，据分析是英特尔在嵌入式市场的优良销售业绩帮了他的忙。这两个在NOE闪存市场经常上演二人转的公司在2005年将会展开更激烈的角逐。
就在Spansion在IIC展会上发表量产的512Mb闪存时，英特尔公司也宣布了全新的StrataFlash(r) 嵌入式存储器，主要面向家电、工业和有线通信等市场领域的嵌入式应用，看来英特尔决心要巧固在该领域的优势。全新英特尔StrataFlash(r) 嵌入式存储器产品家族将提供从6? MB到1 GB的广泛密度，密度为6? Mb - 512 Mb的产品将于2005年第二季度推出，密度为1 Gb的设备将于2005年下半年推出。
王光伟：我们的512Mb NOR闪存是该
领域目前能量产的单片最高密度的产品。
但是，Spansion在中国的手机厂商中似乎有很好的人缘，具王光伟称中国前10名的手机厂商均采用了该公司的闪存产品，去年它在手机市场的销售额占了该公司总销售额的七成以上。“手机中对NOR闪存的需求增长迅速。”他预测道：“2005年，256Mb的NOR闪存将是手机的主流配置；而明年手机闪存的主流配置将达到512Mb。”王光伟表示。“我们拥有涵盖大部分容量的产品，并且它们都采用了统一的产品架构和产品接口。这一点非常重要，因为它意味着电话制造商可以在无需改写软件的情况下，继续扩充它们的产品线。”他补充说。
支持Spansion不断提升密度的是其屡获殊荣的MirrorBit技术，它是一种先进的每单元存储双比特的技术。“与其它竞争对手每单元多存储位的MLC浮门技术相比，MirrorBit技术制造流程减少10%，关键掩膜步骤减少40% ，良品率提高30%，尤其是在高容量产品领域。”王光伟说道。此次推出的单片512Mb NOR闪存就是基于该技术，下一步是计划在2005年推出1Gb密度的产品。此外，为了加强移动电话的安全性，Spansion为其闪存提供高级扇区保护，这是一种基于硬件的闪存安全系统。高级扇区保护可以利用6?位密码，防止关键的操作系统代码、电话身份标识信息和重要的系统设置遭受未经授权的窜改。
但是，英特尔公司副总裁兼闪存产品事业部总经理Darin Billerbeck也表示：“英特尔已经验证的第四代MLC技术可为嵌入式产品客户提供出色的性价比优势。StrataFlash 嵌入式存储器是我们的每位成本（cost-per-bit）最低的解决方案。”
然而，Spansion还有一个杀手锏。他们计划在今年推出一种称为ORAND的闪存，它既具有NOR闪存的快速随机读写，快速顺序读写和极高的可靠性，同时也具有NAND闪存的快速写入、低成本和高容量特点，“它的目标是同时需要NAND和NOR闪存的应用，ORNAND可以同时减小用户的芯片数量和成本。”王光伟表示。他透露今年将推出1Gb密度的ORNAND闪存，价位将与NAND闪存具有竞争性。ORAND技术将是Spansion进一步扩充市场的有力武器。[!--empirenews.page--]
在NOR闪存市场，除了英特尔和Spansion外，还有一些新的竞争者值得关注，如台湾华邦电子在IIC上展示了32Mb的NOR闪存，并表示该产品与Spansion的产品兼容。
作者：孙昌旭
End of article 关键字： 三星电子 DRAM NAND Flash 3D 才刚对全球半导体产业投下史上最高资本支出震撼弹的三星电子(Samsung Electronics)，再度因韩朝政治对立情势升温，战事恐一触即发，而成为科技产业关心的焦点。业界聚焦重点放在DRAM和NAND Flash产业，三星在此两大产业中，DRAM市占率分别超过30%，NAND Flash市占率逼近40%，未来韩朝关系若持续紧绷，甚至有战事发生，将使得全球个人计算机(PC)和消费性电子产品供应链造成巨大变化。
全球DRAM和NAND Flash生产大厂：三星
根据DIGITIMES Research分析，三星的半导体生产基地离北韩相当近，是东北亚电子产业的危机潜伏地区，三星是2009年全球半导体消费金额排行第2的业者，仅次于惠普(HP)，显示三星在半导体生产领域和消费者领域的地位。
目前三星在韩国DRAM芯片单月产能超过30万片，包括Fab9、Fab10、Fab11A、Fab11B、Fab12、Fab13及Fab15等，涵盖标准型DRAM、利基型DRAM等，全球市占率超过30%，影响所及涵盖PC和各式消费性电子应用。
日前三星宣布要兴建Fab16，预计单月产能可达20万片，未来可生产DRAM、NAND Flash等，继而目标是提升Fab15的制程技术至30纳米制程，预计半导体产业要投入资本支出高达9兆韩圆(约80亿美元)。
NAND Flash芯片单月产能约25万~30万片，全球市占率逼近40%，应用领域包括手机、MP3播放器、随身碟、快闪记忆卡等。目前三星和二哥东芝 (Toshiba)的全球市占率越来越接近，2厂都超过30%市占率，掌控全球NAND Flash芯片的供货主导权。
三星史上最高资本支出 成功猎杀台厂
三星日前才宣布史上最高金额的资本支出计划，全球DRAM和NAND Flash产业应声全倒，成功狙击了这一波正在从谷底复苏，且积极有募资计划的台厂。台系DRAM厂的营运虽然从谷底反弹，但根基还不稳固，尤其是身上仍是负债累累，且没有多余资金可以扩产，三星这项资本支出计划，成功让台厂的募资计划受挫。
对于美光(Micron)和尔必达(Elpida)这两家竞争对手虽然成功在金融风暴中挺过来，但手上的银弹有限，不可能跟随三星加入这场钱海战术，加上美日两阵营近年来与台系DRAM厂越绑越近，利用台湾低成本的生产基地，让美日两大阵营竞争力大增，但三星这一次出招，却让台美日内存厂全部都挨闷棍。
内存业者认为，三星宣布的资本支出计划出炉后，基本上已达到重挫对手的目的，是否真的全部如期执行，则是其次问题，惟现在大家关心韩朝战略情势升温，不确定性大幅增加，但业者认为，这种牵扯到政治和战争之事，只能用假设和推测去分析。
业者认为，由于三星在韩国的厂房接近朝鲜地区，如果真的有战事发生，导致三星厂房有损失，最大受惠者当然是台美日DRAM厂，以及美日阵营的 NAND Flash大厂，如果南北韩战事扩大，恐削弱三星长期的产业竞争力，会是台美日等各厂击倒三星的最佳机会点。
•下一页：三星危机谁损谁益？
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• “天安舰”事件或影响韩厂供货，台厂有望从中得利
• 三星移动显示2.5兆韩元押宝AMOLED面板商机
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ACE是一家IC设计公司，成立于2001年，主要提供Power类的电源管理IC和内存类IC。产品经理吴宏彦表示，ACE公司地IC设计技术和研发主要在美国矽谷，同时印度也有一个研发中心，而台湾地区的分公司主要是负责业务拓展和提供服务和技术支持。
ACE今年的主打产品将是SPI NOR FLASH系列IC，据悉该系列将在4月开始量产第一款产品，4M bit的ACE25。吴宏彦表示，这颗IC具有非常明显的价格优势，估计售价大约为0.13美元。ACE25的具体参数如表1所示，表1中还有另外两款将在今年发布的新产品16通道恒流LED驱动ACE711和集成P-MOSFET的LDO模式过压保护IC ACE516。
目前，ACE的EEPROM系列产品线已经非常成熟，并被市场所广泛接受。ACE的EEPROM系列产品如下列表2所示。
据悉，ACE进入中国大陆市场的时间较晚，大约在2007年才开始进入。不过在短短几年的时间，ACE实现了中国大陆市场的巨大增长，仅去年一年，ACE中国大陆市场便达到了3倍的增长。吴宏彦透露，ACE去年的营业额达到1亿元人民币。
目前，ACE的许多产品都被松翰和智微的方案广泛采用。下面图片列举了一些已经商用的方案实例。吴宏彦表示，希望通过IIC的平台让更多中国本土厂商认识ACE，经过三天的展出，也收获了不少信息、资源。
ACE为本土厂商提供高性价比美国IC(电子工程专辑)>报道：Ana Hu
End of article 关键字： NOR 孙昌旭 NOR闪存
在日前第十届国际集成电路展(IIC)上，Spansion公司展示了据称目前最高密度的NOR闪存??单芯片512Mb的NOR闪存，并且还展示了萨基姆(Sagem)公司采用该闪存的一款手机。“我们的512Mb NOR闪存是目前进入量产的单片最高NOR闪存。”该公司副总裁王光伟表示。Spansion公司由AMD和富士通公司的闪存部门合并而成，该公司在2004年正式更名为Spansion LLC。
目前，英特尔与Spansion公司是垄断NOR闪存市场的两巨头。据调研公司iSuppli公司的数据显示，虽然2004年全年Spansion在该领域的份额超过了英特尔，但是在后两个季度英特尔的销售量又超过前者，据分析是英特尔在嵌入式市场的优良销售业绩帮了他的忙。这两个在NOE闪存市场经常上演二人转的公司在2005年将会展开更激烈的角逐。
就在Spansion在IIC展会上发表量产的512Mb闪存时，英特尔公司也宣布了全新的StrataFlash(r) 嵌入式存储器，主要面向家电、工业和有线通信等市场领域的嵌入式应用，看来英特尔决心要巧固在该领域的优势。全新英特尔StrataFlash(r) 嵌入式存储器产品家族将提供从6? MB到1 GB的广泛密度，密度为6? Mb - 512 Mb的产品将于2005年第二季度推出，密度为1 Gb的设备将于2005年下半年推出。
王光伟：我们的512Mb NOR闪存是该
领域目前能量产的单片最高密度的产品。
但是，Spansion在中国的手机厂商中似乎有很好的人缘，具王光伟称中国前10名的手机厂商均采用了该公司的闪存产品，去年它在手机市场的销售额占了该公司总销售额的七成以上。“手机中对NOR闪存的需求增长迅速。”他预测道：“2005年，256Mb的NOR闪存将是手机的主流配置；而明年手机闪存的主流配置将达到512Mb。”王光伟表示。“我们拥有涵盖大部分容量的产品，并且它们都采用了统一的产品架构和产品接口。这一点非常重要，因为它意味着电话制造商可以在无需改写软件的情况下，继续扩充它们的产品线。”他补充说。
支持Spansion不断提升密度的是其屡获殊荣的MirrorBit技术，它是一种先进的每单元存储双比特的技术。“与其它竞争对手每单元多存储位的MLC浮门技术相比，MirrorBit技术制造流程减少10%，关键掩膜步骤减少40% ，良品率提高30%，尤其是在高容量产品领域。”王光伟说道。此次推出的单片512Mb NOR闪存就是基于该技术，下一步是计划在2005年推出1Gb密度的产品。此外，为了加强移动电话的安全性，Spansion为其闪存提供高级扇区保护，这是一种基于硬件的闪存安全系统。高级扇区保护可以利用6?位密码，防止关键的操作系统代码、电话身份标识信息和重要的系统设置遭受未经授权的窜改。
但是，英特尔公司副总裁兼闪存产品事业部总经理Darin Billerbeck也表示：“英特尔已经验证的第四代MLC技术可为嵌入式产品客户提供出色的性价比优势。StrataFlash 嵌入式存储器是我们的每位成本（cost-per-bit）最低的解决方案。”
然而，Spansion还有一个杀手锏。他们计划在今年推出一种称为ORAND的闪存，它既具有NOR闪存的快速随机读写，快速顺序读写和极高的可靠性，同时也具有NAND闪存的快速写入、低成本和高容量特点，“它的目标是同时需要NAND和NOR闪存的应用，ORNAND可以同时减小用户的芯片数量和成本。”王光伟表示。他透露今年将推出1Gb密度的ORNAND闪存，价位将与NAND闪存具有竞争性。ORAND技术将是Spansion进一步扩充市场的有力武器。[!--empirenews.page--]
在NOR闪存市场，除了英特尔和Spansion外，还有一些新的竞争者值得关注，如台湾华邦电子在IIC上展示了32Mb的NOR闪存，并表示该产品与Spansion的产品兼容。
作者：孙昌旭
End of article 关键字： 三星电子 DRAM NAND Flash 3D 才刚对全球半导体产业投下史上最高资本支出震撼弹的三星电子(Samsung Electronics)，再度因韩朝政治对立情势升温，战事恐一触即发，而成为科技产业关心的焦点。业界聚焦重点放在DRAM和NAND Flash产业，三星在此两大产业中，DRAM市占率分别超过30%，NAND Flash市占率逼近40%，未来韩朝关系若持续紧绷，甚至有战事发生，将使得全球个人计算机(PC)和消费性电子产品供应链造成巨大变化。
全球DRAM和NAND Flash生产大厂：三星
根据DIGITIMES Research分析，三星的半导体生产基地离北韩相当近，是东北亚电子产业的危机潜伏地区，三星是2009年全球半导体消费金额排行第2的业者，仅次于惠普(HP)，显示三星在半导体生产领域和消费者领域的地位。
目前三星在韩国DRAM芯片单月产能超过30万片，包括Fab9、Fab10、Fab11A、Fab11B、Fab12、Fab13及Fab15等，涵盖标准型DRAM、利基型DRAM等，全球市占率超过30%，影响所及涵盖PC和各式消费性电子应用。
日前三星宣布要兴建Fab16，预计单月产能可达20万片，未来可生产DRAM、NAND Flash等，继而目标是提升Fab15的制程技术至30纳米制程，预计半导体产业要投入资本支出高达9兆韩圆(约80亿美元)。
NAND Flash芯片单月产能约25万~30万片，全球市占率逼近40%，应用领域包括手机、MP3播放器、随身碟、快闪记忆卡等。目前三星和二哥东芝 (Toshiba)的全球市占率越来越接近，2厂都超过30%市占率，掌控全球NAND Flash芯片的供货主导权。
三星史上最高资本支出 成功猎杀台厂
三星日前才宣布史上最高金额的资本支出计划，全球DRAM和NAND Flash产业应声全倒，成功狙击了这一波正在从谷底复苏，且积极有募资计划的台厂。台系DRAM厂的营运虽然从谷底反弹，但根基还不稳固，尤其是身上仍是负债累累，且没有多余资金可以扩产，三星这项资本支出计划，成功让台厂的募资计划受挫。
对于美光(Micron)和尔必达(Elpida)这两家竞争对手虽然成功在金融风暴中挺过来，但手上的银弹有限，不可能跟随三星加入这场钱海战术，加上美日两阵营近年来与台系DRAM厂越绑越近，利用台湾低成本的生产基地，让美日两大阵营竞争力大增，但三星这一次出招，却让台美日内存厂全部都挨闷棍。
内存业者认为，三星宣布的资本支出计划出炉后，基本上已达到重挫对手的目的，是否真的全部如期执行，则是其次问题，惟现在大家关心韩朝战略情势升温，不确定性大幅增加，但业者认为，这种牵扯到政治和战争之事，只能用假设和推测去分析。
业者认为，由于三星在韩国的厂房接近朝鲜地区，如果真的有战事发生，导致三星厂房有损失，最大受惠者当然是台美日DRAM厂，以及美日阵营的 NAND Flash大厂，如果南北韩战事扩大，恐削弱三星长期的产业竞争力，会是台美日等各厂击倒三星的最佳机会点。
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