NXP:下一代LTE基站功率放大器全面试商用
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作为LDMOS功率放大器的后来居上者,NXP在基站功率放大器市场的份额迅速提升,特别是赶上了中国运营商大规模建网的好时机。当然,这主要得归功于他们的产品在能效上的明显优势,正好满足了运营商绿色基站的需求。比如此次展会上,他们推出的一款针对2.1GHz WCDMA的ASM-Doherty射频功率放大器——BLF7G22LS-130/200,通过Polar跟踪和Doherty预失真的方式大幅提升效率,在80W的平均输出功率上,效率可达48%。
另一款针对AF双频段的TD-SCDMA射频功率放大器——21LS-160P,也已成为中移动基站中的主流产品,一个器件实现Doherty,具有高集成度低成本优势。在22W的平均输出功率上效率可达42%。
针对2.1GHz WCDMA/LTE的基站射频功放——3xBLF7G22LS-160,采用了NXP专利的3路Doherty技术,效率达48%以上。
如果说过去两年是NXP在射频功放市场由弱至强的两年,那么未来随着射频功放向LTE/4G的高频发展,NXP的优势就会更加明显。“我们在1.8Ghz的产品上很有信心;在2.3G-2.4G的产品中具有较强的节能优势;而在3.8Ghz以上的市场基本上就没有对手了。”潘?信心十足地表示。
此次,他们展示了一款频率为2.5-2.7Ghz,针对LTE、TD-LTE和WiMAX的基站功率放大器——BLFG27LS-90P,同样采用了高集成度的单器件Doherty技术,在18W的平均输出效率上,效率大于42%。另一款针对2.1GHz WCDMA/LTE的基站射频功放——3xBLF7G22LS-160,则是采用了NXP专利的3路Doherty技术,效率达48%以上,具有16dB的高增益。“该器件采用了OFDM和64QAM调制方式,具有较高的峰值功率。经大批量生产验证,具有很好的一致性和高可靠性。” 潘?说道。
在LDMOS市场获得成功后,NXP下一步将会推氮化镓工艺的射频功放。“随着开关技术成熟后,可以更好地发挥氮化镓的高密度与高频率特性,我们预计这种新工艺的PA在2013/2014年可以商用。”潘?对本刊记者透露。
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