新材料拉动RF功率器件市场

『据ABIResearch网站2011年1月26日报道』虽然RF（射频）功率半导体在无线基础设施市场仍处于停滞状态，但在其他市场，尤其是军品市场，形势已开始好转。据美国市场研究机构ABIResearch最新报告指出，GaN（氮化镓）作为未来很有潜力的RF功率器件制备材料，将进一步获得市场认可。

GaN兼具GaAs（砷化镓）的高频性能和硅基LDMOS器件的功率处理能力，现已成为主流技术，取得了一定市场份额，并将在未来市场中占有一席之地。

不同于无线基础设施市场，军品市场的RF功率器件交易表现出强劲上扬的态势。虽然生产商集中在几个主要工业化国家，但随着军品市场的全球化，买方可来自世界各地。

RF功率器件是指频率达到3.8GHz且输出功率在5W以上的半导体器件，可以满足现有大部分应用需求。