展讯手机芯片厂进入40纳米制程

市场亦传出，高通方面已与展讯就TD芯片展开合作，法人预估，高通和展讯的合作，未来对于台湾IC设计龙头联发科和手机芯片生力军晨星应会带来一定程度的竞争压力。
中国大陆IC设计厂展讯预定明年1月于北京发表，采用40纳米制程低耗电3G通讯基带晶片，成为手机芯片大厂高通(Qualcomm)后，进入40纳米制程的手机芯片厂。
分析师认为，高通在布局3G的CDMA市场后，现正积极投入4G通讯技术，以LTE和中国大陆特有的TD-LTE技术为主，全力迎接明年的LTE元年;而透过和展讯的合作，可以补强在中国内需市场的3G和TD-SCDMA领域，两全齐美。分析师说，高通和展讯合攻TD-SCDMA，对于同样布局TD- SCDMA的联发科和晨星而言，会处于相对不利的位置。
目前晨星已计划在明年上半年推出TD-SCDMA芯片，抢进3G市场;但联发科总经理谢清江曾于11月初的法说会上表示，明年3G市场成长重点将放在全球主流规格WCDMA，而非TD-SCDMA。
展讯在美东时间19日晚间宣布，将在明年的1月19日于北京为旗下的40纳米制程低耗电3G通讯基带处理器，举办科技论坛，对外说明新产品的开发进度，并分享通讯IC设计的经验。上述科技论坛计画由展讯、中国半导体行业协会(CSIA)、海信通信、华为与沈阳新邮通信设备联合举办。
今年在中国大陆2G和2.5G手机芯片市场成功抢占两成以上市占率，并步步进逼联发科的展讯，今年下半年不断对外发表三卡三待、四卡四待等新产品，积极抢进大陆以外的新兴市场。
与联发科的竞争，亦由大陆进一步打到印度、南美等市场。受到持续推出新产品激励，展讯ADS在17日上涨3.81%，收18.00美元，创历史新高。
除新产品布局外，市场传出，高通抢进中国大陆市场的合作对象也选定展讯，双方就高通着墨较少的TD晶片展开合作，共同发展CDMA和TD双模芯片，合作抢攻3G市场。