瑞萨加强半导体业务 扩大产品阵容

瑞萨电子预计，2010财年到2012财年化合物半导体市场的年平均增长率将达到8%。实现这一目标之后，公司预计可以将其化合物半导体业务扩大11%，超过了市场增长率。公司还计划，到2012财年将化合物半导体销售额提高1.2倍，从而成为业内领先的化合物半导体供应商。
(1) 利用光电耦合器、RF开关IC和其他重点产品获取世界最大的市场份额
瑞萨电子的目标是在光电耦合器和光学存储器件市场上获取最大的份额，并进一步提高其RF开关IC和GaAs低噪声场效应晶体管（FET）的市场份额。
『光电耦合器』
瑞萨电子计划加快开发高温操作、低功耗和小型封装，以便满足“绿色”市场不断增长的需求，如混合动力和电动车、LED照明系统与电表。
公司计划通过结合面向高压和大电流输出的IGBT（绝缘栅双极晶体管）与微控制器（MCU）来进一步拓展光电耦合器的销售。公司特别决定通过将职员总数增加1倍来加强其海外营销职能。并且，市场需求预计将会大幅增长，因此瑞萨电子计划将其生产容量在2009年第4季度的基础上扩大1倍。
通过上述措施，瑞萨电子将努力在2011财年获取光点耦合器市场世界最大份额。
『RF开关IC』
至于可以在具有RF功能的电子器件（如手机和笔记本电脑）上实现收发转换、3G-GSM转换和天线转换的RF开关IC，瑞萨电子计划采用业内领先的新型低损耗晶体管，并推出采用小型封装技术的产品。
为了灵活地满足客户需求，瑞萨电子将推出采用超小型封装的RF开关IC产品或以裸晶片的形式推出RF开关IC。公司还计划通过与美国、欧洲和中国台湾的芯片集供应商合作来扩展RF开关IC业务，从而为系统制造商提供参考设计。
通过实现这些目标，瑞萨电子力图获取世界最大的RF开关IC市场份额。
(2) 在2011年3月之前推出GaN基半导体产品
GaN能够在比现有半导体材料（如硅（Si）和GaAs）高的频率、输出功率和温度下运行，并且其工作频率比SiC（碳化硅）高得多，因而能够为高频应用实现更高的击穿电压和高速操作。
与其他将多层制造方法应用到直径为3~4英寸的SiC基片上的公司不同，瑞萨电子通过将GaN层堆叠到Si基片上来生产电路。这种方法可以实现更大的晶圆（6英寸晶圆），并且还能够以较低的成本生产半导体器件。
瑞萨电子计划先推出面向CATV（有线电视）放大器市场的、高可靠性、高功能GaN基产品。预计2011年3月开始发售瑞萨电子的首款GaN基产品样品 - 一款面向CATV的标准器件，它整合了多个GaN FET、冷凝器和其他器件。
今后，瑞萨电子将力图进一步提高其重点产品（如光电耦合器和RF开关IC）的市场份额，并通过培育需要大功率和高频率的市场（如CATV放大器、微波和毫米波器件）、利用新开发的GaN基产品扩展化合物半导体业务。