美光和英特尔利用25纳米硅工艺技术推出3-bit-per-cell NAND 闪存

----双方称该业界容量最大、尺寸最小的 NAND 设备，为众多消费存储应用带来成本优势。

美光科技公司 (Micron Technology Inc.) 和英特尔公司 (IntelCorporation)近日联合推出25纳米 (nm) 制程的3-bit-per-cell (3bpc) NAND 闪存，该 NAND设备拥有业界最大的容量和最小的尺寸。两家公司已将初始产品样品送到部分客户手中。美光与英特尔预计在今年年底时量产该产品。
与竞争对手 USB、SD （Secure Digital） 闪存卡和消费电子产品相比，新推出的 25nm 64Gb 3bpc存储设备的性价比更高且存储量更大。闪存主要用于存储数据、照片或其它多媒体，如计算机应用和数码设备（数码相机、便携式媒体播放器、便携式数码摄像机和各类个人电脑）之间的数据捕捉和传输。这些市场一直处在以更低成本提供更高存储容量产品的压力之下。

由双方合资组建的 NAND 闪存公司IM Flash Technologies（简称 IMFT） 所开发的这项64Gb（或8GB）25nm光刻技术，可提供每单位3比特的信息容量，而传统技术只能提供1比特（单层存储单元）或2比特（多层存储单元）。业内也将3bpc称为三层存储单元（triple-levelcell, 简称 TLC）。

该设备的尺寸与美光和英特尔容量相同的 25nm MLC（多层存储单元）相比，体积要小20%以上，是目前市场上最小的单个 8GB设备。从产品固有的紧凑型设计上看，小尺寸闪存对消费终端产品闪存卡显得尤为重要。芯片面积为131平方毫米，符合行业标准TSOP（薄型小尺寸封装）封装。

美光 NAND 解决方案事业部副总裁 Brian Shirley 说：“鉴于 NAND闪存对消费电子产品的重要性日益显著，我们将及早向 25nm TLC 过渡视为不断扩大 NAND存储产品组合的一大竞争优势。我们已经在努力根据包括 Lexar Media（雷克沙）和美光的更高容量终端产品的设计，来打造符合要求的8GB TLC NAND 闪存产品。”

英特尔副总裁兼NAND 解决方案事业部总经理 Tom Rampone 表示：“自业界尺寸最小的 25nm 芯片在1月问世，25nm3bpc 产品也紧随其后，我们将继续加速向前发展，为客户提供一系列卓越的领先产品。Intel 计划在新推出的 8GB TLC 25nmNAND 设备的基础上，利用 IMFT 在设计和制造上的优势，为我们的客户打造更高密度、更具成本竞争力的产品。”

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美光科技简介

美光科技公司 (Micron Technology, Inc.)是世界领先的先进半导体解决方案供货商之一。通过全球化的运营，美光制造和销售一系列 DRAM、NAND 和 NOR闪存，以及其他创新存储技术、封装解决方案和和半导体模块，用于前沿的计算、消费、网络、嵌入式和移动产品。美光普通股代码为MU，在纳斯达克证券交易所上市交易。垂询美光科技公司的更多详情，请访问 www.micron.com。美光科技公司的商标请参见：http://www.globenewswire.com/newsroom/prs/?pkgid=6950 。

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