《国际电子商情》10月热门产品汇总
时间：2010-10-29 13:44:34
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[导读]关键字： LTE PA 云手机 CDMA GPU LTE云手机将促使市场全面洗牌
关键字： LTE PA 云手机 CDMA GPU LTE云手机将促使市场全面洗牌
Strategy Analytics分析师Alex Spektor指出，2015年“LTE云手机”或将打破领先手机供应商的市场地位。
与目前大多数手机不同的是，云手机将主要依赖互联网云服务器为消费者提供增值应用和服务。Alex Spektor表示：“每一代网络技术的演进都带来颠覆市场格局的新设计、新功能、或是新终端。随着运营商在未来几年开始部署LTE网络，云手机将会成为下一个具有颠覆市场格局能力的技术。”
“有两种截然不同的战略可让手机厂商在开发云手机上实现最大的市场潜力：其一是华为和中兴等厂商将迎战三星和LG，以成为移动运营商的首选合作伙伴，提供定制手机以优化移动运营商提供的云服务；”该公司无线行业研究执行总监Chris Ambrosio补充道，“其二是终端厂商寻求开发自己的云服务。诸如戴尔和惠普等厂商，能凭借其规模和在计算机领域的优势开发云手机，使云手机成为其‘多屏幕云服务’战略的一部分。”
三星两款CDMA手机选用Anadigics PA
三星两款在美国市场深受好评的CDMA手机Intensity II和Gusto最近宣布选用Anadigics公司的HELP3E双频功率放大器(PA) AWC6323。
AWC6323是Anadigics的 低功耗高效率(HELP)双频CDMA PA组合中首款封装尺寸为3×5×1mm的产品。相较于业界的CDMA PA，AWC6323有最低静态电流，从而可有效延长手机待机时间和改进手机的整体效能。
三星Intensity II 和Gusto手机由北美最大的无线网络运营商Verizon销售，是该公司在产品价值和可靠性方面最受好评的手机。Intensity II轻薄型手机适合高速社交网络，其滑出式QWERTY全键盘使用户能很快通过文本或图片信息与他人保持联系。Gusto翻盖手机融合了清晰显示和噪声抑制技术，提供强大的文本、图片和即时通信功能。
此前几天，Anadigics的AWT6264 PA为三星新型Epic 4G智能电话提供WiMAX连接功能。AWC6323和AWT6264皆具有极高性能表现、高线性度和高效率。
Nvidia披露图形处理器发展路线图
Nvidia在开始付运其Fermi图形处理器之后不久，最近又公开宣布其采用28nm工艺制造的Kepler图形处理器将在明年下半年问世，到2014年还将推出Maxwell图形处理器。该公司宣称，Kepler的性能将是Fermi的3-4倍。
Nvidia CEO Jen-Hsun Huang说：“我们期望Kepler能够在明年下半年进入生产阶段，目前其设计进展非常迅速。”
Nvidia是图形处理器和图形处理卡的领先供应商，但目前必须面对新的竞争格局，因为PC处理器制造商英特尔和AMD开始在其CPU中集成GPU。
Nvidia也正在向相同方向发展，近年来在Tegra品牌下集成自己的GPU和来自ARM授权的处理器内核。
旺宏年底开始量产75nm NOR闪存
旺宏电子(Macronix)最近宣布，其NOR闪存将跳过90nm工艺，直接导入至75nm，超前原先时程规划。
旺宏75nm工艺新产品将广泛应用于网络通讯、计算机、消费电子与手持式装置等应用市场；首颗75nm产品为256Mb并行NOR闪存，并已送样予全球WiMax、GPON、数字机顶盒等OEM厂商。
旺宏75nm工艺除了针对现有市场需求，也提供低电压产品的技术平台；1.8V低电压产品即是针对手持式装置与可携式应用市场所需之轻薄短小与低耗能等特性。
旺宏已推出首颗75nm 256Mb并行NOR闪存样品，并将于年底前开始量产，紧接着串行与并行64Mb与128Mb家族系列产品，亦将陆续导入75nm。
［转下一页：效率高于95%的MOSFET集成降压稳压器］
1 2 到第页 End of article 关键字： LTE PA 云手机 CDMA GPU
效率高于95%的MOSFET集成降压稳压器
麦瑞半导体(Micrel)最近针对高功率密度DC-DC应用开发出了SuperSwitcher II系列MOSFET集成降压稳压器。MIC26xxx SuperSwitcher II系列含三款DC-DC降压稳压器，均采用了麦瑞专有的Hyper Speed Control架构。
MIC26400、MIC26600和MIC26950器件的输入电源电压范围是4.5V到26V，输出电流分别为5A、7A和12A。SuperSwitcher II系列可与任何电容配套使用，不受输出ESR影响，因此解决了长期以来电源设计者在采用分布式输出电容时遇到的稳定性问题。
SuperSwitcher II系列降压稳压器能够以高于95%(±1%)的效率驱动DC-DC负载，输出可调降至0.8V。MIC26400, MIC26600和MIC26950目前已批量供货，起价1K量级单价分别为1.82美元、2.20美元、2.77美元。
发光强度高达4500~11250mcd的白光LED
Vishay最近推出了一款新型白光、无散射的3mm LED VLHW4100，在20mA电流下的发光强度高达4500mcd至11250mcd。[!--empirenews.page--]
该LED采用无杂质、无色的塑料外壳及透镜，视角为±22.5度，具有很高的光输出和可视性能。凭借高发光强度，VLHW4100能够替代白炽灯，并且准备深入到各种通用和定制应用中，包括室内和室外照明、户外LED面板、灯光指示牌，以及仪表和前面板指示灯。
该器件的热阻低至400K/W，功率耗散高达95mW。器件的半光强视角为±22.5度，根据发光情况进行分类，使每个包装内器件的发光强度和颜色都保持一致。LED可承受2kV的ESD电压，符合JESD22-A114-B规范，并且符合RoHS指令2002/95/EC。新款VLHW4100 LED现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为八周。
IR推出混合动力汽车用双通道低侧驱动IC
国际整流器公司(IR)近日推出适用于汽车应用的AUIRS4426S双通道低侧驱动IC，应用领域包括混合动力系统驱动、直接燃油喷射系统、DC-DC转换器等。
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IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示：“由于采用坚固耐用的单片式结构，AUIRS4426S尤其适用于需要坚固、灵活的解决方案的混合动力汽车(HEV)应用。”
AUIRS4426S的栅极驱动电压为6V至20V，具有CMOS施密特触发器输入，输出与输入异相，同时输入逻辑电平比较低。
新器件符合AEC-Q100标准，是在IR要求零缺陷的汽车质量理念下研制而成的，所采用的环保材料既不含铅，也符合有害物质管制指令(RoHS)。
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Strategy Analytics分析师Alex Spektor指出，2015年“LTE云手机”或将打破领先手机供应商的市场地位。
与目前大多数手机不同的是，云手机将主要依赖互联网云服务器为消费者提供增值应用和服务。Alex Spektor表示：“每一代网络技术的演进都带来颠覆市场格局的新设计、新功能、或是新终端。随着运营商在未来几年开始部署LTE网络，云手机将会成为下一个具有颠覆市场格局能力的技术。”
“有两种截然不同的战略可让手机厂商在开发云手机上实现最大的市场潜力：其一是华为和中兴等厂商将迎战三星和LG，以成为移动运营商的首选合作伙伴，提供定制手机以优化移动运营商提供的云服务；”该公司无线行业研究执行总监Chris Ambrosio补充道，“其二是终端厂商寻求开发自己的云服务。诸如戴尔和惠普等厂商，能凭借其规模和在计算机领域的优势开发云手机，使云手机成为其‘多屏幕云服务’战略的一部分。”
三星两款CDMA手机选用Anadigics PA
三星两款在美国市场深受好评的CDMA手机Intensity II和Gusto最近宣布选用Anadigics公司的HELP3E双频功率放大器(PA) AWC6323。
AWC6323是Anadigics的 低功耗高效率(HELP)双频CDMA PA组合中首款封装尺寸为3×5×1mm的产品。相较于业界的CDMA PA，AWC6323有最低静态电流，从而可有效延长手机待机时间和改进手机的整体效能。
三星Intensity II 和Gusto手机由北美最大的无线网络运营商Verizon销售，是该公司在产品价值和可靠性方面最受好评的手机。Intensity II轻薄型手机适合高速社交网络，其滑出式QWERTY全键盘使用户能很快通过文本或图片信息与他人保持联系。Gusto翻盖手机融合了清晰显示和噪声抑制技术，提供强大的文本、图片和即时通信功能。
此前几天，Anadigics的AWT6264 PA为三星新型Epic 4G智能电话提供WiMAX连接功能。AWC6323和AWT6264皆具有极高性能表现、高线性度和高效率。
Nvidia披露图形处理器发展路线图
Nvidia在开始付运其Fermi图形处理器之后不久，最近又公开宣布其采用28nm工艺制造的Kepler图形处理器将在明年下半年问世，到2014年还将推出Maxwell图形处理器。该公司宣称，Kepler的性能将是Fermi的3-4倍。
Nvidia CEO Jen-Hsun Huang说：“我们期望Kepler能够在明年下半年进入生产阶段，目前其设计进展非常迅速。”
Nvidia是图形处理器和图形处理卡的领先供应商，但目前必须面对新的竞争格局，因为PC处理器制造商英特尔和AMD开始在其CPU中集成GPU。
Nvidia也正在向相同方向发展，近年来在Tegra品牌下集成自己的GPU和来自ARM授权的处理器内核。
旺宏年底开始量产75nm NOR闪存
旺宏电子(Macronix)最近宣布，其NOR闪存将跳过90nm工艺，直接导入至75nm，超前原先时程规划。
旺宏75nm工艺新产品将广泛应用于网络通讯、计算机、消费电子与手持式装置等应用市场；首颗75nm产品为256Mb并行NOR闪存，并已送样予全球WiMax、GPON、数字机顶盒等OEM厂商。
旺宏75nm工艺除了针对现有市场需求，也提供低电压产品的技术平台；1.8V低电压产品即是针对手持式装置与可携式应用市场所需之轻薄短小与低耗能等特性。
旺宏已推出首颗75nm 256Mb并行NOR闪存样品，并将于年底前开始量产，紧接着串行与并行64Mb与128Mb家族系列产品，亦将陆续导入75nm。
［转下一页：效率高于95%的MOSFET集成降压稳压器］
效率高于95%的MOSFET集成降压稳压器
麦瑞半导体(Micrel)最近针对高功率密度DC-DC应用开发出了SuperSwitcher II系列MOSFET集成降压稳压器。MIC26xxx SuperSwitcher II系列含三款DC-DC降压稳压器，均采用了麦瑞专有的Hyper Speed Control架构。
MIC26400、MIC26600和MIC26950器件的输入电源电压范围是4.5V到26V，输出电流分别为5A、7A和12A。SuperSwitcher II系列可与任何电容配套使用，不受输出ESR影响，因此解决了长期以来电源设计者在采用分布式输出电容时遇到的稳定性问题。
SuperSwitcher II系列降压稳压器能够以高于95%(±1%)的效率驱动DC-DC负载，输出可调降至0.8V。MIC26400, MIC26600和MIC26950目前已批量供货，起价1K量级单价分别为1.82美元、2.20美元、2.77美元。
发光强度高达4500~11250mcd的白光LED
Vishay最近推出了一款新型白光、无散射的3mm LED VLHW4100，在20mA电流下的发光强度高达4500mcd至11250mcd。[!--empirenews.page--]
该LED采用无杂质、无色的塑料外壳及透镜，视角为±22.5度，具有很高的光输出和可视性能。凭借高发光强度，VLHW4100能够替代白炽灯，并且准备深入到各种通用和定制应用中，包括室内和室外照明、户外LED面板、灯光指示牌，以及仪表和前面板指示灯。
该器件的热阻低至400K/W，功率耗散高达95mW。器件的半光强视角为±22.5度，根据发光情况进行分类，使每个包装内器件的发光强度和颜色都保持一致。LED可承受2kV的ESD电压，符合JESD22-A114-B规范，并且符合RoHS指令2002/95/EC。新款VLHW4100 LED现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为八周。
IR推出混合动力汽车用双通道低侧驱动IC
国际整流器公司(IR)近日推出适用于汽车应用的AUIRS4426S双通道低侧驱动IC，应用领域包括混合动力系统驱动、直接燃油喷射系统、DC-DC转换器等。
电子商情》>IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示：“由于采用坚固耐用的单片式结构，AUIRS4426S尤其适用于需要坚固、灵活的解决方案的混合动力汽车(HEV)应用。”
AUIRS4426S的栅极驱动电压为6V至20V，具有CMOS施密特触发器输入，输出与输入异相，同时输入逻辑电平比较低。
新器件符合AEC-Q100标准，是在IR要求零缺陷的汽车质量理念下研制而成的，所采用的环保材料既不含铅，也符合有害物质管制指令(RoHS)。
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