Numonyx获EDN杂志“年度创新者”大奖
时间：2010-05-07 10:31:34
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[导读]EDN杂志将Alverstone PCM产品的Numonyx（恒忆）设计团队评选为其2009年度创新者（Innovator of the Year）！EDN创新奖是电子行业最负盛名的奖项之一，Numonyx从业界数百家提名厂商中脱颖而出，击败了其它四个门类中，
EDN杂志将Alverstone PCM产品的Numonyx（恒忆）设计团队评选为其2009年度创新者（Innovator of the Year）！EDN创新奖是电子行业最负盛名的奖项之一，Numonyx从业界数百家提名厂商中脱颖而出，击败了其它四个门类中，包括Intrinsity、MontaVista、Synopsys，和Xilinx在内的最终候选厂商。
EDN创新奖涵盖超过30个相关技术门类，“年度创新者”大奖则是其中最高荣誉。Numonyx于EDN杂志4月26日在美国加州San Jose市举办的第20届年度创新奖典礼上获此殊荣。
EDN：《PCM是存储技术40年来最显著的进步》
EDN近期公布了提名厂商的概况信息，与Numonyx相关的内容请见如下连接： http://www.edn.com/info/CA6718222.html?industryid=49169
恒忆的研发团队推出的“Alverstone”是存储业界首个应用了相变存储（PCM）技术的商用器件。PCM代表了存储技术40年来最显著的进步，其综合了通常NOR闪存、NAND闪存、RAM或EEPROM等技术中最优异的特性，实现了可变位（Bit-alterable）的，且具有高读写速度，和高耐久性等优秀性能的非易失性技术。由于PCM的机制采用了物理状态的改变，而非电子储存，因此不断萎缩的光刻技术不构成任何问题。事实上，更小规模的光刻技术更加适合PCM，因为不同状态间的转换仅需要较少的材料，这样会使改变一个PCM位所需的功耗显著减少。一贯的可靠性和低功耗特性给予了PCM超越目前存储技术的优势；其扩展到45纳米制造节点，远远超出了NOR和NAND技术未来可望达到的工艺水平。Alverstone凝结着9年的广泛探索和研发，将全新的存储概念和原理带入量产，代表了PCM技术商业化进程的第一步。
EDN关于Numonyx 的信息还包含PCM研发团队的照片，包括Greg Atwood、Duane Mills、 Rich Fackenthal、Roberto Bez、Roberto Gastaldi，和Fabio Pellizzer。
EDN创新奖涵盖超过30个相关技术门类，“年度创新者”大奖则是其中最高荣誉。Numonyx于EDN杂志4月26日在美国加州San Jose市举办的第20届年度创新奖典礼上获此殊荣。
EDN：《PCM是存储技术40年来最显著的进步》
EDN近期公布了提名厂商的概况信息，与Numonyx相关的内容请见如下连接： http://www.edn.com/info/CA6718222.html?industryid=49169
恒忆的研发团队推出的“Alverstone”是存储业界首个应用了相变存储（PCM）技术的商用器件。PCM代表了存储技术40年来最显著的进步，其综合了通常NOR闪存、NAND闪存、RAM或EEPROM等技术中最优异的特性，实现了可变位（Bit-alterable）的，且具有高读写速度，和高耐久性等优秀性能的非易失性技术。由于PCM的机制采用了物理状态的改变，而非电子储存，因此不断萎缩的光刻技术不构成任何问题。事实上，更小规模的光刻技术更加适合PCM，因为不同状态间的转换仅需要较少的材料，这样会使改变一个PCM位所需的功耗显著减少。一贯的可靠性和低功耗特性给予了PCM超越目前存储技术的优势；其扩展到45纳米制造节点，远远超出了NOR和NAND技术未来可望达到的工艺水平。Alverstone凝结着9年的广泛探索和研发，将全新的存储概念和原理带入量产，代表了PCM技术商业化进程的第一步。
EDN关于Numonyx 的信息还包含PCM研发团队的照片，包括Greg Atwood、Duane Mills、 Rich Fackenthal、Roberto Bez、Roberto Gastaldi，和Fabio Pellizzer。
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