GlobalFoundries宣布开发20nm工艺与22nm共存

GlobalFoundries近日宣布将会开发20nm半导体制造工艺，但与台积电不同，新工艺将与 22nm共存，而且GF认为这种半代工艺并不会消失。

台积电不久前刚刚宣布，将跳过22nm工艺，改而直接上马更先进的20nm工艺，采用增强型高K金属栅极(HKMG)、应变硅、低电阻铜超低K互联等技术，可带来更高的栅极密度和芯片性能。在此之前，台积电和GF还先后宣布将跳过32nm Bulk工艺，从40nm直奔28nm。

GF目前的业务主要有两种，一是继续为AMD制造微处理器，二是开拓新的代工业务，为其他芯片厂商代工更简单一些的各类芯片，这就需要新的制造工艺，特别是半代工艺。

GF公关总监Jon Carvill表示：“我们在同时投资于22nm和20nm工艺。半代工艺的需求肯定会不断增长，同时也有微处理器业务等大规模市场需要全代工艺。”

他同时指出：“现在谈论从28nm转向22/20nm工艺所能获得的确切性能和能效还为时过早。随着(晶体管)几何尺寸的变小，工艺进步的幅度也同样如此，但这并不意味着(新工艺)没有此前工艺世代的好处或者更简单。”

Jon Carvill还强调说：“在市场上保持半导体工艺的领先需要面临成本和复杂性两方面的挑战。开发新的领先工艺会耗资数十亿美元，建设新工厂也要花费40 多亿美元(Fab 2)。这些巨额开销会让很多企业望而却步，可能会带来更多合并，以及更多企业放弃自家生产的模式。”