TSMC：跳过22纳米，直接进入20纳米工艺

台积电(TSMC)前不久在美国加州圣荷西市举行的技术研讨会中，宣布将跳过22纳米工艺直接发展20纳米工艺。该公司表示，此系基于“为客户创造价值”而作的决定，提供客户一个更可行的先进工艺选择。

台积电此次技术研讨会有1,500位客户及合作厂商代表参与，该公司研究发展资深副总经理蒋尚义在会中表示，台积电20纳米工艺将比22纳米工艺拥有更优异的栅密度(gate density)以及芯片效能/成本比，为先进技术芯片设计人员提供一个可靠、更具竞争优势的工艺平台。其20纳米工艺预计于2012年下半开始导入生产。

台积电20纳米工艺系在平面晶体管结构工艺(planar process)的基础上采用强化的高介电值/金属栅、创新的应变硅晶与低电阻/超低介电值铜导线等技术。同时，在其他晶体管结构工艺方面，例如鳍式场效晶体管(FinFet)及高迁移率(high-mobility)组件，也展现了刷新记录的可行性(feasibility)指标结果。

从技术层面来看，由于已经具备了创新光刻技术以及必要的布局设计能力，让台积电因此决定直接导入20纳米工艺。

不过蒋尚义也指出，在先进工艺技术的开发上，台积电已经面临一个关键时刻，也就是必须主动积极地考虑其投资回报率，并且需要跳脱单单考虑技术层面的思维模式，必须透过与客户密切合作、以及在资源整合与优化方面的创新，同时解决来自技术及经济层面的挑战。