GLOBALFOUNDRIES和ARM定义移动技术平台创新标准

在近日举行的2010年世界移动通信大会上，GLOBALFOUNDRIES和ARM公司共同发布了其尖端片上系统平台技术的新的细节，该平台技术专门针对下一代无线产品和应用。全新的芯片制造平台预计能使计算性能提高40%，功耗降低30%，并将待机电池寿命提高100%。这一新的平台包括两种GLOBALFOUNDRIES的工艺：针对移动和消费应用的28nm超低功耗（SLP）工艺和针对要求最高性能的应用的28nm高性能（HP）工艺。

GLOBALFOUNDRIES首席运营官谢松辉表示：“下一代移动产品的成功将越来越取决于是否能够提供PC级的性能、高度整合的、丰富的多媒体体验和更长的电池寿命。这就要求一个强大的技术基础，同时需要行业领袖密切合作，从而让更多的设计公司有能力进行创新。我们与ARM密切合作，以我们在大量生产先进技术产品上公认的制造经验，共同优化用于Cortex-A9处理器的物理IP和实现，为尖端的无线产品和应用提供一个完全集成的平台。”

ARM和GLOBALFOUNDRIES的SoC平台式基于ARM Cortex- A9处理器、优化的ARM物理IP和GLOBALFOUNDRIES的28nm 先加工栅极（Gate-First）High-KMetal Gate（HKMG）工艺。ARM和GLOBALFOUNDRIES将共同帮助智能手机、智能本、平板电脑等嵌入式设备制造商满足日益增长的设计和制造复杂性，同时缩短成熟期的批量生产时间。GLOBALFOUNDRIES预计将在2010年下半年在德国德累斯顿Fab 1启动使用这些下一代技术进行制造生产。

随着“智能”移动产品市场不断扩大，移动应用渴求更强大的性能以实现持续创新，这一需求日益凸显。相较于以往的40/45nm技术，GLOBALFOUNDRIES的28nm工艺及其Gate-First HKMG技术能够提供卓越的性能收益。根据目前的预计，28nm HKMG在相同的温度范围（thermal envelope）内提高约40%的计算性能，改善移动设备的应用性能，强化多任务处理能力。GLOBALFOUNDRIES有能力将这一技术迅速推向市场，而客户在广泛采用的Gate-First方法中的获益，现在也能在 HKMG工艺中取得。Gate-First方法得到了许多全球最大的IDM和无晶圆设计公司的广泛行业支持。

同时，每一代新技术都需要提高功耗效率，以提供更长通话/待机、多媒体播放以及互动游戏和图像时间。与40/45nm工艺相比，ARM IP和GLOBALFOUNDRIES 28nm HKMG工艺的结合能够提升30%的功耗效率，并将待机电池寿命延长了100%。

ARM总裁Tudor Brown表示：“过渡到28nm技术节点将会是无线技术的一个重要转折点。我们和GLOBALFOUNDRIES的合作能够帮助客户以28nm HKMG技术将高性能、低功耗的基于ARM技术的设计迅速地推向市场，而这一28nm HKMG技术目前已经能够满足量产的需求。GLOBALFOUNDRIES的技术、领先的ARM物理IP解决方案和ARM处理器所具备的完整互联网功能，这三者的结合形成了一个强大的处理技术、图像以及功耗效率的集合体。”

GLOBALFOUNDRIES是全球领先的代工厂，拥有采用HKMG技术制造高性能集成处理器的丰富经验。这些经验将使得采用28纳米工艺的客户能够享有行业领先的快速投入批量生产的能力。

除了与GLOBALFOUNDRIES的合作，ARM还与IBM联合发展联盟（IBM Joint Development Alliance）中的其他成员建立了战略合作关系，以推动根据HKMG工艺对处理器和物理IP进行优化的进程。在刚刚结束的世界移动通信大会上，ARM展出了第一个使用HKMG技术的28nm晶圆，展示了与代工厂合作伙伴在加速下一代片上系统转向更先进的节点方面所取得的优势和成就。