ST将参加CEA-Leti的多电子束曝光开发项目

意法半导体（STMicroelectronics）与法国CEA-Leti宣布，意法半导体将参加CEA-Leti推进的无掩模光刻共同技术开发项目“IMAGINE”。该项目为期3年，旨在确立可实现采用了多光束方式电子束（EB）曝光设备“MAPPER”的LSI量产用光刻技术。台积电（TSMC）已经参加了该项目。

IMAGINE项目的研究对象包括曝光设备评估、实现采用该设备的图形、工艺整合、掩模数据的处理技术、芯片制作以及成本分析等。尤其在电子束曝光技术的缺点——处理能力方面，目标是将同时照射的电子束数量最终增至1万个以上，这样处理能力即可提高至10张/小时。

意法半导体的硅技术研发总监Jo•l Hartmann表示：“对于意法半导体来说，参加IMAGINE项目是为了使用未来技术的无掩模光刻技术所必经的一步，通过此次的共同开发，我们将在法国Crolles的试制生产线上确立多光束技术，并对电子束技术可导入CMOS工艺流程进行验证。”