尔必达将在台湾设DRAM开发基地 合作开发4F2技术

尔必达、瑞晶及PSC的技术人员将会聚于该基地，合作开发40nm工艺、单元面积为4F2（F为设计规则）的DRAM技术。现在尔必达正在量产的最尖端DRAM为45nm工艺产品，单元面积为6F2。合作开发的目的在于通过大幅改变单元结构等，在版图设计上实现可谓终极的单元面积。尔必达还计划把该基地开发的技术提供给该公司的代工厂商台湾茂德科技和台湾华邦电子。

以往尔必达主要在日本国内从事DRAM开发，而将台湾定位于生产基地。尔必达指出在台湾设立开发基地的好处有“容易在开发中满足市场存在感日益增强的台湾客户的需求，容易确保优秀的技术人员，容易降低人工费”（尔必达内存公关部）。至于将来是否打算把通用DRAM开发全部转交给台湾基地，该公司未明确表态。