英特尔、Micron联手，志重夺NAND工艺领先地位

英特尔和Micron正在NAND工艺技术之战中争取领先地位。在近期的电话会议上，Micron宣布自己的20纳米级别NAND产品将在很短时间内出样。Micron没有指明具体的工艺，很多人预期他们将在2010年年初公布更多细节。

预计Micron将和自己在NAND领域的合作伙伴英特尔在2010年推出一款20纳米级别的NAND产品。凭借此产品，英特尔和Micron将超越三星和东芝。英特尔和Micron此前合资组建了IM Flash技术有限责任公司。

这两家公司都在出售基于NAND技术的固态硬盘（SSD）产品。分析人士称，英特尔已立足SSD市场，而Micron还在此领域挣扎。

Micron在不久前结束的上一财季迎来了三年来的首次盈利，以17.4亿美元的销售额超越了华尔街的预期。该公司的NAND业务上季度增长21%，DRAM业务更是猛增50%。事实上Micron已经在将有限的产能分配在选定的产品上，其中包括DDR3 SDRAM。

英特尔与Micron的组合在NAND工艺竞赛中曾一度保持领先地位。两家公司一直在出售34纳米工艺产品。直到2009年4月，东芝却夺取了领先地位，因为该公司一直在加速开发32纳米工艺的NAND闪存产品。

2009年8月，随着英特尔和Micron正式宣布推出3-bit-per-cell（x3）技术NAND产品，该领域的竞争趋向白热化。x3，MLC（多层单元）NAND技术基于34纳米工艺。2009年12月初，韩国三星电子宣布自己开始量产基于30纳米工艺的x3，MLC NAND闪存芯片。

现在，英特尔和Micron有了可用的20纳米级别产品。但三星仍然在NAND市场占据主导地位，而东芝也在扩张。根据iSuppli公司新推出的第三季度排名显示，最头痛的还是停留在排名末端的英特尔。

与此同时，整个NAND市场已由衰退呈现出复苏状态。Gartner分析师Joseph Unsworth在报告里写道“过去的一年非常艰难。经历灾难性2008年的NAND生产商几经绝望。但2009年理性的回复，使得业界平衡也得以修复。 2009年大部分时间里的需求都很旺盛，厂商充满希望。由于供应依然紧缺，2010年形势大好，2011年也将如此”。

价格也将变得更好，报告指出：“绝大多数密度的NAND合同价在12月初略有下降，但相比2008年12月，MLC部件价格翻倍，SLC部件价格维持不变。目前16Gb MLC部件售价约4.68美元，去年同期大多数公司的定价为2.25美元。这不但显示出NAND厂商去年所面临形势之惨痛，也揭示出纠正供过于求问题的重要性。近期的渠道清点带来的乐观信息显示市场价格在2010年第二季度下滑前仍将保持稳定。2010年对NAND厂商而言形势大好，将带来超过20%的营收增幅”。