调降库存 12月上旬主流MLC NAND Flash价格走跌

12 月 NAND Flash 上下游业者因年底将届，相关业者除有降低库存的考量，也想趁年终销售旺季进行降价促销，因此 12 月上旬主流 MLC NAND Flash 合约价因旺季效应淡化，普遍下跌，其中低容量 MLC NAND Flash 颗粒因近期记忆卡价格急跌，跌幅比高容量 MLC NAND Flash 还大。

集邦科技表示，11 月以来记忆卡市场因交易商调降库存、业者降价促销、白牌记忆卡供货量增加等因素影响，记忆卡现货价格大幅走跌，因此带动低容量 NAND Flash 颗粒价格走跌。

此外，12 月下游系统产品及记忆卡客户的採购量，也因年底结帐降低库存而明显降低，且供应商的 3x 纳米新製程产品的产出比重持续增加，NAND Flash 市场已由 11 月的供货偏紧，转为 12 月较宽鬆的状况。同时，12 月 NAND Flash 下游客户也想希望上游供应商降价，来配合促销活动，以刺激年终销售旺季的买气，因此供应商顺势调降 12 月上旬的合约价。

集邦科技表示，由于年底前下游客户降库存，及降价促销的活动持续，且 NAND Flash 价格今年初以来已一路飙涨，因此近期在传统淡季来临前开始回档整理是正常现象，但价格后市仍需视 NAND Flash 终端应用产品往后的销售状况而定。

集邦科技预期，要到 1 月 NAND Flash 下游客户检视年终假期销货状况，及淮备中国农历年所需库存时，下游客户的采购意愿才会开始回升，市场价格也可望因库存回补效应而获得支撑。