尔必达与茂德科技签署DRAM芯片代工协议

茂德表示，代工服务以尔必达最先进的1G DDR3产品为主，预计2010年上半完成试产，2010年下半大量生产。此外，尔必达发言人Hiroshi Tsuboi表示，茂德每月将使用多达3.5万片12寸晶圆为尔必达制造芯片，同时，采用65奈米制程技术。

茂德董事长暨总经理陈民良表示，尔必达在全球DRAM产业中以尖端制程技术的创新研发备受肯定，其最先进制程技术量产之1G DDR3产品具有成本竞争优势。

尔必达社长Yukio Sakamoto表示，很高兴与茂德科技展开DRAM代工业务合作，结合尔必达前瞻技术与茂德优异量产效率，将能产生综效和提供高效能高质量DRAM产品。