瑞萨与松下联手开发领先SoC工艺

瑞萨科技公司与松下公司共同宣布，在瑞萨那珂分部(茨城县日立那珂市)集中精力联合开发领先的SoC工艺技术，并将其28-32nm工艺开发线投入运营。在瑞萨那珂分部，两家公司正通过致力于对300mm晶圆产品线的联合开发和提供联合开发结构，进行28nm工艺技术的开发，旨在不久的将来将其投入批量生产。

早在1998年瑞萨还未正式成立之时，即已与松下约定联合开发新一代SoC技术，并在瑞萨北伊丹事务所(兵库县依丹市)不断开发面向90nm、65nm、45nm和32nm系列的半导体工艺技术。2008年10月，在将具有金属/高k栅极堆栈结构与面向32nm系统SoC工艺的超低k材料晶体管技术进行结合，而使互联技术得到开发后，即确立了将其投入批量生产的目标日期。

此后，在2009年7月，双方又利用面向28nm工艺的金属/高k栅极堆栈结构合作开发了SRAM单元。现在，在这些成果的基础上，两家公司开始运营该生产线，以便在新近安装于瑞萨那珂分部的300nm晶圆开发线内，利用28nm制造工艺技术联合开发全集成技术。

在那珂分部的开发线中，除了从瑞萨北伊丹事务所转移过来的部分开发线设备以外，两家公司还安装了全新的生产设备，以开发批量生产中实际所需的晶圆尺寸的产品，完成顺利向批量生产阶段的过渡，达到削减开发成本、缩短开发时间，从而提高开发和生产效率的目的。

28-32nm SoC工艺技术作为联合开发的成果，已经应用到两家公司推出的先进移动应用和数字家电的SoC中。此外，这些产品也已在两家公司的各个分部实现了批量生产。

从促进早期技术积累到取得如今的成果，两家公司一直借助于这种长期的合作伙伴关系，进行持续有效地开发，并致力于将这些先进技术及早地投入到应用中去。