富士通微电子与台积电合作发展28纳米工艺技术

这项先进技术的合作将富士通微电子在先进高速工艺与低耗电设计技术的专长及优势，以及台积电节能的高效能逻辑/系统单芯片工艺及「开放创新平台」(Open Innovation Platform)中的先进技术相结合。这次延伸至28纳米工艺的合作计划，能在台积电包含高效能与低耗电应用的28纳米技术组合基础上，提供富士通微电子与台积电一个从深具竞争优势、高效能28纳米技术中获益的机会。

同时，二家公司也正在就先进封装合作的可能性进行讨论，希望能有效结合富士通微电子在高效能、无铅、超高接脚(ultra-high-pin count)封装技术的优势及台积电在芯片封装整合与先进的铜/超低介电系数(Cu/ELK)导线的坚强实力。

富士通微电子常务执行董事八木春良(Haruyoshi Yagi)表示，我们先前宣布与台积电在 40纳米工艺技术的合作正快速进展中，目前已有好几个产品进入实体设计阶段。透过与台积电在28纳米高效能工艺共同开发与生产上的合作，我们可以结合双方的竞争优势，来为客户创造更大的价值，此举将可进一步扩大台积电的营运成长，同时扩展富士通微电子在专用集成电路(ASIC)与专用标准产品(ASSP)注1市场的业务。

台积电全球业务暨行销副总经理陈俊圣表示，我们过去在先进技术上开发及量产的傲人纪录，是富士通微电子选择我们成为合作伙伴的原因之一。台积电的技术平台涵盖与芯片设计相关的种种考量，包括设计套件、设计流程、台积电与合作伙伴的硅知识产权、健全的元件资料、优异的工艺技术、后段的封装及测试能力，此次的协定代表台积电的技术平台已获得肯定。