三维电子晶体制造新工艺问世
时间：2009-08-17 08:39:34
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[导读]日本京都大学大学院工学研究科的一个研究小组日前发布消息称,他们开发出一种能够大大缩短三维电子晶体制造时间的新工艺.三维电子晶体是一种能自由操纵光的新 型材料,可用来高速处理光信号以及制造超小型光集成电路片
日本京都大学大学院工学研究科的一个研究小组日前发布消息称,他们开发出一种能够大大缩短三维电子晶体制造时间的新工艺.三维电子晶体是一种能自由操纵光的新 型材料,可用来高速处理光信号以及制造超小型光集成电路片,在下一代量子计算机的开发、新型人造卫星和飞机制造等方面有着广阔的应用前景.
据介绍,三维电子晶体的构造是将微小的硅反射板立体的、整齐的排列在一起,具有可自由反射光并实时调节发光强弱的特性.不过这种新型材料以往制造起来十分麻烦,必须要使用特制的半导体制造仪器,并通过显微镜进行人工精密制造.而以往要制造一个8层结晶、1厘米见方、2微米厚的晶体大约需要1个月左右的时间.
日本的研究小组使用了在原料硅板上放置金属板,再用等离子依据金属板上排列整齐的倾斜状孔洞进行挖掘的方法,大大节省了三维电子晶体的制造时间.利用这种新方法,制造一块8层1厘米见方的晶体只需要4天至5天时间.研究人员称,这种新工艺也将会大大促进超小型光集成电路片等技术的进步.
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