三星电子开始供货采用50nm工艺制造的2Gbit DDR3方式DRAM模块

韩国三星电子宣布，已经开始供货配备了采用50nm工艺技术的DDR3方式2Gbit DRAM的DRAM模块。共备有16GB的RIMM(Registered Inline Memory Module)和8GB的RDIMM(Registered Dual Inline Memory Module)等18款产品。主要面向服务器。

16GB的模块以1066Mbit/秒的速度运行。可将两个插口的CPU服务器系统的总内存容量增至192GB。16GB的RDIMM的驱动电压为1.35V，与以1.5V电压工作的GDDR3相比，耗电量可降低约20%。另外，16GB的RDIMM采用由两个芯片(Die)构成的封装，因此与采用由四个芯片构成的封装相比，降低了成本、提高了性能。