新日铁开展SiC晶圆业务，“质量不输美国可瑞”

新日本制铁(新日铁)着手开展作为新一代功率半导体底板材料的SiC(碳化硅)晶圆业务。将从2009年4月1日起通过子公司新日铁材料开始销售直径2～4英寸(50～100mm)的SiC晶圆。此前新日铁一直提供试制用晶圆的样品，而此次将从4月份起供应质量可用于元件量产的晶圆。计划2015年前后使该业务的年销售额规模达100亿日元。“毫无疑问，我们将成为仅次于(垄断SiC晶圆市场的)美国可瑞(Cree)公司，成为业界第二。不过我们的晶圆质量可是全球第一位的”(新日铁材料董事社长石山照明)。

2009年3月26日举办了新闻发布会。左侧为新日铁材料董事社长石山照明。右侧为新日本制铁尖端技术研究所所长桥本操。

新日铁材料将开始销售直径为2英寸(50mm)、3英寸(76mm)及4英寸(100mm)的n型4H-SiC晶圆。所有产品的中空贯通缺陷(微管)的存在密度均降到了1个/cm2以下。在引起元件成品率下降的位错缺陷方面，与可瑞的晶圆相比，新日铁的水平也毫不逊色。“为了提高SiC晶圆的结晶质量，采用了通过制铁用高炉开发的超高温温度控制技术”(新日铁新材料研究部长大桥渡)。

日本国内首次推出直径100mm晶圆，150mm晶圆将于2011年样品供货

这是日本国内厂商首次推出直径100mm的SiC晶圆产品(参阅本站报道1，参阅本站报道2)。该尺寸是量产元件时使用的最小尺寸，因此，此次实现产品化“将成为加快SiC晶圆元件量产步伐的原动力”(新日铁材料董事兼技术部长巽宏平)。可瑞计划09年～2010年推出的直径6英寸(150mm)的晶圆产品，“将于2011年开始样品供货”(巽宏平)。另外，新日铁此次推出的直径50～100mm的晶圆产品均为没有形成外延膜(Epitaxial Film)的普通晶圆(Bulk Wafer)。关于事先形成外延膜的外延晶圆(Epitaxial wafer)，“我们已经拥有制造设备，目前正在探讨当业务需求增高时如何实现业务化的问题”(巽宏平)。

　新日铁推出的直径2～4英寸（50～100mm）的SiC晶圆产品。

新日铁材料最初计划主要面向日本国内元件厂商销售SiC晶圆。生产基地为该公司的子公司日铁微金属的寄居工厂(埼玉县)。预计最初以月产200～400张的规模进行量产，年销售额将达数亿日元。随着元件市场的发展，“生产规模及销售额也将实现数倍以上的增长”(巽宏平)。关于SiC功率半导体的用途，“最初将应用于产业设备、服务器及太阳能电池等领域，随后扩大到混合动力车及电动汽车领域”(新日铁材料的石山)。