ROHM，究竟有何不同？

“Si + α”计划之一：微显示器芯片

“Si + α”

尽管高集成度是半导体产业的主流，但是除了Intel、三星以及少数几家半导体公司，需要天价投资的CMOS制程微缩化(Scaling down)已经不是人人都能玩得起的游戏。很显然，大部分的日本企业已经没有这样的投资能力。“因此它也不是罗姆半导体的主要发展方向。” 高须秀视强调，“但这并不表示我们就不关心高集成度方面的技术。”

高须秀视介绍了一项名为“Si + α”的计划。而正是此番介绍让我们有幸看到罗姆高效益背后的秘密所在——将多项技术集成在一起所带来的差异化和高附加值。据称，差异化和高附加值正是“α”的核心理念。而具体到实现方法，则是“以新材料为基础的功能创新和跨领域(包括电子、光学、力学、热学、生物、医药等等)研究的复合型器件”。举例来说，它可以是显示器/发光体(LCD、EL、LD、LED)+LSI的组合，也可以是感光体(PD、CCD、CMOS I. C.)+LSI的形式，又或者如MEMS/生化(传感器、传动器)+LSI等。

有必要在高须秀视的介绍中节选几个同读者分享。尽管它们只是“Si + α”计划的冰山一角，然而毫不夸张的说，这些介绍还是带来了不小的震撼。

首先介绍的是一款将CMOS电路同OLED技术集成在一起的微显示器芯片。芯片底层是LSI电路，上层则是QVGA大小的OLED显示器。高须介绍，其核心技术在于一项同CMOS硅片工艺兼容的OLED制程。它能够在LSI上叠加一层拥有精细像素(每像素尺寸为5x15um)的OLED。目前罗姆最为看好的应用是在数码摄像机、高精度数码相机、头戴式显示器上。

与OLED微显示器有着异曲同工之妙的还有一款名为具有敏感的感光薄膜CIGS高灵敏度的宽带图像传感器。可提供352x288的像素阵列，采样率每秒30帧。据称，即使在0.001Lux的亮度下(相当于只有星光的夜晚)，该器件也能拍摄下肉眼不可辨的图像，而一般数码相机要拍摄出这样的画面至少也要0.3Lux的亮度。高须透露，这其中最大的奥秘在于覆盖在LSI上之上的一层特殊的Cu(In,Ga)Se2薄膜。

“传统CMOS图像传感器的每个像素中，PD和Tr是被排列在同一Si面上的，只有30%的面积属于PD，50%至60%属于Tr，而在CIGS中PD是叠在Tr上的，这样从感光面积上CIGS是原来CMOS的3倍，然后再考虑到2倍的Si的量子效率，那也就意味着传感器的性能是原来的6倍左右。”高须表示。需要特别补充的是，从300nm波长的可见光到1300nm波长的红外线，CIGS均可检测到，这不仅意味着该器件能够用于一般的照相机，还可用于医学(探测癌细胞)。

可在星光条件下拍摄到图像的CIGS图像传感器

近年来越来越热的铁电技术也属于“Si + α”计划的范畴。据称，尽管目前已经有多家厂商在提供铁电存储器。“但是在10前还只有罗姆一家拥有铁电技术。”高须称，早在15年前罗姆就开发了采用铁电技术的IC卡。如今，该公司更开发出了基于铁电逻辑技术的非挥发性电路，可在无需持续供电的情况下保存电路状态数据，从而大幅度的降低能耗。