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[导读]在国际金融危机和“硅周期”的双重打击下,中国集成电路制造业在2008年出现了多年来的首次负增长。在前所未有的困难局面下,中国集成电路芯片制造业要保增长、求发展,坚持技术创新是必然选择。 依靠新工艺降

在国际金融危机和“硅周期”的双重打击下,中国集成电路制造业在2008年出现了多年来的首次负增长。在前所未有的困难局面下,中国集成电路芯片制造业要保增长、求发展,坚持技术创新是必然选择。

        依靠新工艺降低成本

        2008年,中国集成电路芯片制造业产业规模比上年下滑1.3%,其衰退幅度甚至大于中国集成电路产业整体下滑的幅度。从往年的统计数据可以看到,2007年中国集成电路芯片制造业的增幅为23%,2006年增幅为32.5%,巨大的反差已足以说明芯片制造业所面临的困难有多大。

        与2001年因网络泡沫破裂而导致的半导体产业急剧下滑相比,2008年全球半导体产业的衰退幅度虽然不像当年那样大,但其波及的产业领域更广,并且持续的时间还难以预测。和舰科技(苏州)有限公司副总裁张怀竹在接受《中国电子报》记者采访时表示,和舰科技秉承的策略是审慎利用手头现金,以非最先进制程作为基本工艺平台,使设备的投资应用效果最大化,不盲目追求工艺技术的竞赛;同时,也积极寻找合适的策略合作伙伴,投资环保节能产业,如政策大力支持的太阳能和LED绿色照明产业。

        中国的集成电路制造业是从2000年左右开始加速发展的,有很多企业并没有经受过2001年大幅衰退的洗礼,中国企业还需要在逆境中学习,让自己更坚韧、更锋利。所谓更坚韧,就是要降低运营成本,增强企业的生存能力;所谓更锋利,就是要提升企业的技术水平和市场竞争力。以上两者都离不开自主创新,技术水平的提升自不待言,即便是成本的降低,也不是仅仅依靠裁员就能实现的,而是需要优化工艺技术,从而节省原材料、缩短生产周期。

        在第三届(2008年度)中国半导体创新产品和技术评选中获奖的“大屏幕LCD驱动电路模块工艺”就是一个通过技术创新降低成本的实例。由上海华虹NEC电子有限公司推出的该工艺是我国第一个成功自主开发并实现量产的40V高压驱动电路技术,其最引人注目的优点是将同类器件通常所需的23层掩膜缩减为只需16层掩膜,这就意味着在生产工艺中减少了光刻次数,同时也减少了与光刻相关的一系列沉积、刻蚀、CMP(化学机械抛光)以及清洗的工序,因此,这项创新将极大地降低产品成本,同时提高终端产品的性价比。此外,工序的减少也会缩短产品的生产周期,加快产品上市的进度,这也是其客户最乐于看到的。

        技术创新应紧贴市场

        技术创新不能脱离市场的需求,背离市场需求的创新很可能造成资源的浪费。

        中芯国际首席执行官张汝京曾表示,目前中国的集成电路制造能力还相对较弱,尚不能满足国内总需求量的20%,中芯国际在致力于提升产能的同时,也通过与国内的设计公司、科研机构、大专院校及政府部门充分合作,提高企业的技术水平,以满足市场需求。中芯国际已经量产从0.35微米到90纳米的逻辑产品(包括一般逻辑产品和低漏电、低电压、高速逻辑产品)、数模混合及射频产品,正在加速进行65纳米产品认证和45纳米产品研发。

        目前,中国的半导体制造企业无论规模还是技术实力都很难与国际大厂进行硬碰硬的竞争,因此,差异化的市场理应成为国内企业施展拳脚的空间。

    华虹NEC市场副总裁高峰在接受《中国电子报》记者采访时表示:“针对具有成长潜力的市场领域,结合华虹NEC的技术优势所在,我们将持续加大对特色工艺的研发投入。华虹NEC在2008年成功开发并量产了0.13微米嵌入式闪存和0.35微米BCD工艺,并已启动了0.25-0.18微米BCD、高压功率MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)以及射频等高端工艺项目。2009年,我们将进一步完善嵌入式非易失性存储器、模拟/电源管理技术平台,同时提高分立器件制造技术,积极争取更多的分立器件代工市场份额。”

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