日本制成超微结构 有望大幅提高半导体性能

新华网东京10月12日电 (记者 钱铮) 日本的一个研究小组日前宣布，他们利用分子聚集并自然排布的现象，用高分子材料制成了宽度仅10纳米的超微结构，这种新技术有望大幅提高半导体的性能。

据日本媒体报道，日本京都大学和日立制作所的联合研究小组对高分子膜覆盖的基板进行特殊处理，制成了这种超微结构。如果在该结构表面覆盖氧化物，就可能使这种结构具有半导体的性能。

据日本专家介绍，此前日本研究者利用半导体技术最小只能生产宽度为65纳米的超微结构，如果上述新技术达到实用水平并用于半导体生产，就可以使按单位面积计算的半导体超微结构的密度达到原先的9倍，半导体的性能也会达到目前半导体产品的9倍。