SanDisk联手东芝开发3D存储芯片 欲取代NAND技术

    由SanDisk提交的这份文档表示，SanDisk与东芝“将贡献和交叉授权与这项3D合作有关的技术，并将共同开展研发，作为提供知识产权授权的组成部分，SanDisk将接受东芝支付的一定金额的授权费。”

    多年以来，东芝和SanDisk一直在NAND闪存方面开展合作。双方目前正在供应43纳米NAND闪存，每单元3位(x3)技术正在开发之中。

    市场调研公司Forward Insights的总裁Gregory Wong认为，这项3D技术面临许多挑战。“4级3D R/W内存将必须至少在制程方面追上NAND闪存，才能被视为可与x4 NAND闪存竞争，”Wong表示，指的是基于NAND的每单元4位技术。

    “这将使3D R/W内存至少要等3-4年后才能问世，”Wong表示，“另一个问题是，8级堆叠是否能够以较高的成品率生产出来。Matrix曾于2003年展示过一款8级堆叠，但采用的是不太先进的0.25μm制程。用领先制程生产8级内存堆叠是另外一回事。”