奇梦达与尔必达签订内存技术发展合作协议

    以奇梦达的Buried Wordline技术和尔必达的堆栈式技术为基础，双方将会共同发展技术平台和设计规范。两家公司计划在2010年推出由双方共同开发、达到40纳米世代的创新4F² cell概念，未来并将进一步扩展至30纳米世代。双方也锁定在各自的日本广岛及德国德勒斯登厂开展密切合作的研发计划，其中包括双方工程师的互换交流。与此同时，双方也同意在直通硅晶穿孔技术(Through Silicon Via)和未来内存开发的领域中寻求共同发展机会，以及可能合资生产的机会。

    双方还建立了广泛的知识产权交叉许可关系，这使得两家公司能够在产品和技术的发展上有更多自由发展的空间。