海力士与三星欲推3-bit-per-cell NAND，或对SanDisk不利
时间：2008-06-07 06:38:34
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[导读] 韩国海力士(Hynix)半导体和三星(Samsung)电子各自都在加紧努力，开发每单元三位(3-bit-per-cell)的NAND闪存。据《Chosun Ilbo》报道，海力士在6月4日开发出了一款采用3-bit-per-cell技术的32GB NAND闪存。
韩国海力士(Hynix)半导体和三星(Samsung)电子各自都在加紧努力，开发每单元三位(3-bit-per-cell)的NAND闪存。据《Chosun Ilbo》报道，海力士在6月4日开发出了一款采用3-bit-per-cell技术的32GB NAND闪存。
Lazard Capital Markets的分析师Daniel Amir在最近发表的一份报告中表示：“我们听说三星将在2008年末开始生产3-bit per cell NAND时感到很意外。”
“直到现在，该技术一直只有SanDisk与东芝(Toshiba)拥有，”他说，“但是，三星试图生产3-bit per cell NAND，给SanDisk对于该技术的IP构成挑战。虽然我们不知道未来情形如何变化，但我们认为这可能对SanDisk不利。”
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