上海威尔泰选择Ramtron串行F-RAM存储器FM25L16
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随着工业领域中的过程控制的日益复杂，如化工、制药、电力、水处理和食品加工等行业，智能压力变送器已日益受到欢迎。2000S压力变送器具有多项先进的功能，包括双向通信、遥控校正及自我诊断。这些功能可实现更高的精度、更高的可靠性，以及更先进的通信协议，从而减少启动和维护的时间、工作量及成本。
2000S产品将传感技术与智能电子结合在单一封装中，而非易失性F-RAM存储器具备快速写入、高耐用性及低功耗特点，是这种先进设计必不可少的元件。在2000S中，F-RAM存储各种配置参数，如变送器范围、信号类型、流体特性等，并在断电时保存这些数据，使到变送器在电源恢复后可即时投入使用。F-RAM还可存储2000S自动化自我校正例行程序的校正/补偿数据，并执行事件与数据记录，系统可以使用这些数据来诊断是否需要维护。
上海威尔泰研发工程师解释道：“我们在安全的智能2000S压力变送器中使用F-RAM代替EEPROM，能加快写入速度、提高耐用性，并提升总体安全性以防止潜在的爆炸。我们首款2000S设计采用了EEPROM，但却不能通过功耗测试，因为2000S的总体工作电流小于3.6mA。F-RAM的功耗低特性能实现固有安全性，其快速写入速度更减少了可变性，以及降低新型智能压力变送器中微处理器(MPU)的成本开销。”
F-RAM替代EEPROM
固有安全性：2000S是“固有安全性”的设备，意味着其设计可避免释放能量从而导致易燃材料起火和爆炸。因此，它需要工作电流非常低的存储器，如F-RAM。
减少可变性：F-RAM的快速写入对减少计算过程测量数据的可变性必不可少，这可为自我诊断带来更准确的测量数据、更多的系统控制能力及更高的盈利。
降低MPU开销：2000S包括用于复杂计算的MPU。由于智能压力变送器应用的处理量越来越密集，F-RAM的快速写入优势可以降低MPU的开销。
关于FM25L16 F-RAM
F-RAM存储器提供与RAM技术相同的功能，但却是非易失性的。它提供“无延迟”(NoDelay)写入、几乎无限的写入耐用性(写入次数大约为1e14)，以及低功耗。FM25L16是带有行业标准串行外设接口(SPI)的16Kb F-RAM存储器，可以在高达18MHz的总线速度及低工作电流下连续进行读写操作。而同级EEPROM器件的写入延迟长，备有写入轮询软件，耐用性低于100万次写入，且在较高功率下工作。FM25L16采用无铅的8脚SOIC和DFN封装，在工业温度范围内工作电压为3V。
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