Q2 NAND Flash销售排名　三星蝉联第一

    集邦表示，1Q07NANDFlash平均价格急跌达40%以上，制造商在上半年暂缓产能扩充计划，再加上Samsung、Toshiba以及Hynix2Q07在新制程技术转换仍处调整期。因此2Q07的整体NANDFlash的位(bit)产出量与1Q07变化极小。集邦分析师指出，市场由1Q07的供过于求在2Q07转变供需较平衡之状况，因此2Q07NANDFlash价格也得以止跌反弹达10%以上。

    依个别厂商在2Q07NANDFlash销售状态而言(参考下图一)，Samsung以43.9%的市占率持续保持第一名的位置，市占率较1Q07的39.6%高，Samsung在06年下半已将部份NANDFlash产能渐渐转为DRAM。1H07产出主要以制程技术升级为主，而50nm新制程技术在2Q07仍处于调整期，2Q位产出成长约比1Q成长11%。2Q07ASP约较1Q07上涨约10%，销售值约较上一季成长19.4%，达12.6亿美元。

    东芝(Toshiba)2Q07NANDFlash销售值虽比1Q07减少，但2Q07Toshiba仍以24.8%的市占率保持第二名，而市占率则较1Q07的30.1%低。主因来自于其56nm新制程技术在2Q07仍处于调整期，因此QoQ位产出比减少约10%，且客户多以长期合作伙伴为主，所以ASP与1Q07呈现大致持平的状况，2Q07销售值约较1Q07减少约11.6%达7.11亿美元。

    海力士(Hynix)则以16.8%的市占率持续保持第三名的位置，较1Q07的15.4%高。Hynix在2H06也将部份NANDFlash产能渐渐转为DRAM。所以1H07的产出主要也以制程技术的升级为主，但是因为60nm新制程技术在2Q07仍处于调整期，所以2Q位产出比1Q稍为减少，但因2Q07平均价格(ASP)比1Q07上涨25%，所以2Q07销售值约较1Q07成长约16.7%达4.81亿美元。

    前三名NANDFlash厂商约占整体市场85.5%的市占率，市场集中度仍然很高。就其它厂商的状况而言，因IMFlash3Q07末才会于新的12吋厂投产50nm新制程产品，但因价格反弹及制程技术提升的产出增加，2Q07Micron&Intel的NANDFlash销售额仍较1Q07稳定成长，2Q07市占率分别为4.8%及1.9%。

    而瑞萨(Renesas)因策略上将持续降低自有AG-ANDFlash的生产比重，并转由合作伙伴力晶(PSC)代工。2Q07瑞萨与力晶阵营销售值比1Q07减少，其2Q07市占率也降到4.2%，3Q07末，力晶也将开始生产MLCNANDFlash产品。

    另外，意法半导体(ST)2Q07则因来自手机的相关应用业务明显增加，因此2Q07的NANDFlash销售值较1Q07明显成长，使得其2Q07的市占率也提高到2.9%；奇梦达(Qimonda)自2007年起为维持服务客户，将采渐进减产的方式来生产TwinFlash，故2Q07销售值较1Q07减少，而其市占率约为0.7%。

    集邦预期，因传统旺季效应及厂商新制程调整期延长，下半年NANDFlash市场将呈现供给不足的状况。    

图一 2Q07NANDFlash制造商销售额排名(含其它DATAFlash，单位：百万美金)；资料来源：各公司、集邦科技

    备注：DataFlash包括NANDFlash、AG-ANDFlash、TwinFlash与Mirror-bitFlash。其中Renesas/PSC统计为AG-ANDFlash，而Qimonda为TwinFlash.

    附录

    Flash可以概分为记录程序的CodeFlash和储存资料的DataFlash两大类(见下图二)，CodeFlash主要负责提供电子产品开机和控制程序，需要能够快速读取，以NORFlash为最主要的产品项目，DataFlash需要具备快速写入的功能，以NANDFlash为大宗。    

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图二 FLASH比较表