Spansion与台积电合作向40纳米以下挺进
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双方未透露计划何时开始生产40纳米器件,但2009年以前似乎不太可能。预计台积电在2008年以前不会推出45纳米制程,而Spansion在2008年中期以前不会提高其内部45纳米器件的产量。
Spansion和台积电此前签署过一份关于110nm和90nm MirrorBit技术的协议。台积电从2006年第二季度开始以110nm制程生产Spansion闪存晶圆。预计采用90nm MirrorBit技术的产品将在2007年中旬采用300mm晶圆进行量产。
为了使业务多元化,台积电的对手联电也计划增加闪存业务,考虑在其65纳米和45纳米节点上生产NAND闪存。