技术、产能齐发力,宏力半导体2007年可望继续快跑
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2006年,公司重点项目“深亚微米NOR型闪存技术与工艺开发”的项目以其国际领先的技术水平、突出的经济效益和社会效益被评为“上海市科技进步一等奖”。这一项目的科技成果填补了国内多项空白,使中国的闪存生产技术达到了国际先进水平,并已得到了广泛应用。例如,宏力0.25微米嵌入式闪存工艺已经实现了成熟量产,其中一款应用于日本某汽车大厂引擎控制芯片,这也是中国生产的首款应用于高端汽车电子的集成电路产品。宏力0.12微米闪存工艺进入试产。未来2~3年,宏力将在现有基础上,积极开发0.18/0.15微米的自对准嵌入式闪存等多项新工艺,以期成为该领域首屈一指的制造厂商。
宏力技术研发部门已在2006年通过了“上海市企业技术研发中心”认定,拥有大量来自于美国、新加坡及台湾地区拥有二十年以上经验的半导体产业精英和国内优秀的技术人才。去年一年中共有约100多个产品tape out,较之2005年增长50%。目前,宏力能提供0.25/0.22/0.18/0.15微米及以下的多种技术工艺,产品类型涵盖逻辑、混合信号、射频、高压器件,掩模存储器及静态存储器、闪存等。
宏力半导体制造有限公司充满信心地表示,2007年将是公司夯实基础,继续发力快跑的一年。