联电大跃进!45纳米制程测试芯片成功
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负责督导中央研究发展部与Fab12A的联电执行副总孙世伟表示,由于45纳米制程技术必须同时采用新的材质与制程模块,是相当具有挑战性的世代,联电作为全球少数率先产出45纳米制程测试芯片的公司感到非常振奋,未来也会持续提升45纳米制程的良率,筹备将此项技术提供给客户使用。
据目前国内晶圆大厂台积电、联电在45纳米制程技术最新进展,台积电45纳米制程技术已最佳可做到零缺陷密度,联电这次宣布成功量产测试芯片也代表其技术上的大跃进。至于试产时程,台积电、联电皆不约而同预估2007年下半将迈入试产,这也使得台积电、联电在制程差距上时程不断缩短。
联电表示,45纳米制程技术配有微缩30%的设计规则,将具有微缩50%的六晶体管SRAM组件尺寸的能力,可较65纳米制程高出30%的芯片效能。目前65纳米制程目前已有数字客户采用,并将于本季放量成长。目前主导联电45纳米制程的研发是在位于南台湾的南部科学园区的12寸晶圆厂Fab12A。
除联电外,其转投资IC设计服务业者智原也宣布结合联电先进制程0.13微米,开发出超高速32位CPU架构,可说联电、及其旗下转投资智原都全力朝先进制程挺进。