IDF消息 英特尔开发每秒万亿次级研究芯片

万亿次级研究原型硅片

Rattner概括了硅技术的三个主要突破。第一个是关于英特尔万亿次级研究原型硅片，这是世界上首个可编程的每秒万亿次级浮点运算的处理器。这个实验性的芯片包含有80个单一内核，运行频率达3.1Ghz，目的在于测试万亿字节数据在核与核之间、核与内存之间快速传输时的互连策略。

“当与我们最近在硅光子学方面的突破联系在一起时，这些实验性的芯片可以说解决了万亿次级计算的三个主要的要求——每秒执行万亿次运算（teraOPS）的性能、每秒万亿字节的内存带宽、每秒万亿比特的I/O能力，”Rattner说。“尽管这些技术的任何商业应用都将是几年后的事情，但要将万亿次级的性能带给计算机和服务器，这是激动人心的第一步。”

现有的芯片设计将数亿个晶体管唯一地进行排列，与之不同的是，此次芯片设计包括80层8×10块阵列的晶体管。每一层均包括一个微小的核心或者计算单元，以一个简单的指令集处理浮点数据，但不兼容英特尔架构。每层也包括一个路由，将核心连接到一个片上网络，该网络将所有核心连接在一起，使他们可以读写内存。

第二个主要的创新，是一个20M字节的SRAM内存芯片，它与处理器硅晶片堆叠并连接在一起。与硅片堆叠使得两者之间的数千个相互连接成为可能，在存储器和处理核心之间提供超过每秒万亿字节的带宽。

Rattner展示了第三大主要的创新，即最近发布的与加州大学圣芭芭拉分校的研究人员协作研发的混合硅激光（Hybrid Silicon Laser）芯片。该技术突破使得数十、甚至可能是数百的混合硅激光可以与其他的硅光子学部件一起，集成到一个单一的硅芯片上。这可能带来一个每秒万亿比特的光学连接，能够在计算机内部的芯片之间、计算机之间、甚至在数据中心的服务器之间加速万亿字节的数据传输。