韩国三星电子开发出一款超大容量记忆芯片

2005年9月，三星电子曾首次采用50纳米制造技术开发出了16Ｇｂ容量的ＮＡＮＤ闪存记忆芯片。前不久，该公司宣布首次采用40纳米制造技术开发出了32Ｇｂ容量的ＮＡＮＤ闪存芯片。这一技术极大地提高了ＮＡＮＤ闪存记忆芯片的使用寿命，也使这种芯片在数码相机、ｍｐ3播放器以及其他多媒体工具上得到广泛应用。

三星电子公司总裁黄昌圭表示，新产品有更高的可靠性，还可以更好地控制数据存储。