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[导读]着眼于未来先进长程演进计划(LTE-Advanced)世代,射频前端(RF Front-end)的角色将愈来愈重要,高通(Qualcomm)继推出RF360射频前端产品系列方案后,近期再度出手购并互补式金属氧化物半导体 (CMOS)功率放大器(PA)供应

着眼于未来先进长程演进计划(LTE-Advanced)世代,射频前端(RF Front-end)的角色将愈来愈重要,高通(Qualcomm)继推出RF360射频前端产品系列方案后,近期再度出手购并互补式金属氧化物半导体 (CMOS)功率放大器(PA)供应商Black Sand,藉以强化RF360方案竞争力。

高通产品管理资深副总裁Alex Katouzian表示,该公司不断精进RF360系列方案性能,将使消费者和原始设备制造商(OEM)共同受益于这些创新,并得以实现小尺寸、低功耗同时可全球漫游的LTE装置。

随着通讯产业朝向LTE-A发展,手机除须支援多个频段外,采用功率放大器的数量亦随之增加,致使既有采用砷化镓(GaAs)制程的功率放大器产能供不应 求。而采用CMOS制程的功率放大器,因原料成本相对较低,同时其效能亦可满足LTE应用要求,再加上由Black Sand所开发出的产品在功能与脚位上均可相容于GaAs方案,因此行动装置制造商可轻易进行技术转移,遂使该方案迅速于RF市场中窜红。

藉由整合Black Sand的技术与人才,高通预期将能对RF360系列产品进行强化,以增加其COMS功率放大器优势与支援频段范围,并加大与其他厂商的竞争差距。

据了解,此波购并动作双方皆尚未进行公开说明,但在Black Sand官网上已发布讯息证实该公司于6月18日并入高通。Black Sand为一家无晶圆厂半导体公司,提供以矽(Silicon)材料为基础的无线解决方案;其主要产品为兼具高功率及低功耗的3G CMOS功率放大器,并能支援多种频段。
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