全球前四大DRAM制造商近年来问题不断

    iSuppli分析家Nam Hyung Kim指出全球前四大DRAM制造商Hynix、Infineon、Micron与Samsung在最新的工艺技术上都面临一些问题，限制了 DDR SDRAM产品的产量，并导致市场上价格的上扬。这些业者的问题主要发生在从原来的0.14或0.13微米工艺技术转向0.11或0.10微米工艺技 术。这种转换的问题在DRAM业界可说极为普遍，而且目前转向更先进，更复杂程序所耗费的时间比之前的技术世代更为漫长。Kim表示，上 述这四家主要DRAM制造商除了Samsung之外，Hynix、Infineon与Micron都有0.11微米的问题，而Samsung从0.11微米转向0.10微米也有差错，良 率不够高，主要是该公司bit-line采用新的材料，从tungsten silicide转向tungsten。该公司在2004年第四季开始生产0.10微米DDR SDRAM “Die- F” ，分为256与512-MB，但Kim认为它迄今还不太成功，问题在短期之内也不易迅速解决。

    这些生产上的问题仅是DRAM业者近年来一连串问题中的一部份而已；两年前全球DRAM价位大幅提升，后来价格崩盘，导致有些业者的 DRAM业务大幅亏损。美国与欧盟目前都在调查全球主要DRAM制造商是否联手在2002年，联合操控柯断价格。据信某些业者考虑付出巨额罚 款以与检察官方面达成协议。