ST与IBM签署协议 分散成本与风险渐成主流

ST和IBM日前签署协议，将合作开发下一代半导体工艺技术，表明由众多技术公司一起分担为半导体市场开发新产品的高昂的开发费用和风险的做法已成趋势。

ST总裁暨CEO Carlos Bozotti表示有望在2007年底加入IBM联盟，合作开发32纳米和22纳米互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺，以及可用于制造300毫米晶圆的设计和高级研究。

此外，该协议还包括这两家公司在技术开发领域居领先水平的核心bulk CMOS工艺和增值的衍生的系统级芯片(SoC)技术。根据该协议，ST和IBM将合作开发IP模块和平台，以加快采用这些技术的系统级芯片器件的设计速度。

作为本协议的一部分，协议双方还将在对方公司内部成立一个技术开发小组。在纽约East Fishkill和Albany的IBM的半导体研发中心，ST将设立一个bulk CMOS技术研发小组。同时，在法国Crolles的意法半导体300mm芯片研发及制造中心，IBM将成立一个研发小组，两家公司将合作开发各种增值的衍生技术，如嵌入式存储器和模拟/RF器件。这些技术可广泛用于消费电子、服务器市场和无线应用领域，如手机和全球定位系统。

ST的加入使IBM的CMOS技术联盟达到6家半导体公司。在这个联盟内，每个成员公司都享有优先使用技术、参与技术定义、使用合作研发资源解决问题以及共用一个合作制造基地的权利。

同样地，IBM和ST将扩大ST在法国的300mm晶圆制造厂的开发网络，接纳IBM技术联盟中对开发增值衍生系统级芯片技术感兴趣的其它成员。

通过参加成员之间资源共享的开放式生态系统，技术联盟公司认识到通过整合研发力量和知识产权技术可以提高创新速度，降低相关成本。随着联盟不断扩大，为了解决以更快的速度、更低廉的价格设计、制造更好的半导体产品的严峻挑战，更多的成员为此投入了更大的资源，从而使合作关系的好处日益突出。 

双方合作开发的制造工艺将在ST的300mm晶圆制造厂(法国Crolles)投入量产，同时也在这个合作平台的制造商的300mm设施内批量生产，其中包括IBM。

考虑到更长远的合作前景，利用CEA-LETI公共研究所与ST建立的历史悠久的成功的合作关系，IBM、CEA-LETI(法国格勒诺布尔)和ST计划在未来的技术节点上展开合作。

关于这项合作的财务细节没有披露。