Aviza与茂硅将共同开发下一代闪存用ALD材料

    半导体设备供货商Aviza Technology宣布与茂硅电子（Mosel）签订共同开发计划（JDP），双方将共同开发应用在下一代闪存的原子层沉积层（ALD）材料。 

    根据合作协议的内容，Aviza将会提供开发先进原子层沉积材料必要的硬设备以及创新制程，而茂硅电子将会提供组件设计及制程整合技术，以开发符合茂硅技术和制造需求的原子层沉积层薄膜。双方的合作将使用到Aviza经量产验证的Celsior fxP单晶圆原子层沉积系统以开发这些薄膜。  

    目前茂硅的闪存技术研发焦点放在生产更高密度、更低成本及更快读写速度的闪存组件，为达到以上目标，在降低组件设计尺寸到58纳米及更小时，早期原子层沉积层薄膜材料的开发对于确保可制造性是非常关键的。正在研发中的先进薄膜将会以其物理特性、电子特性，以及是否能成功整合到先进闪存制程的程度来筛选。