中芯国际武汉厂弃产DRAM改投闪存

        全球半导体的寒流也传染给了光谷。投资上百亿元的武汉新芯集成电路制造有限公司还未投产，就被迫改弦更张。 

        原本计划作为主打产品的动态存储器(DRAM)，市场价格每况愈下，利润被一再摊薄。作为经营管理方中芯国际不得不决定调整战略：在汉投产后，将放弃动态储存器的生产，把重点转向毛利率较高的闪存存储器(flash)。 

        主打产品“易主” 

        从2003年开始，武汉市就曾与中芯国际接触，希望其能来汉投资办厂。谋划3年，如今终于心想事成。然而，让所有人都始料不及的是，2007年受DRAM市场价格严重下滑，晶圆代工厂中芯国际第3季度净亏损扩大至2560万美元。 

        据武汉新芯集成电路制造有限公司总裁刘丹平介绍，动态存储器2006年的市场价是6至7美元,去年年初约4 
美元，而如今已经跌至70到80美分。跌势之急为20年来罕见。措手不及的全球市场变化，中芯首席执行官张汝京放话，“如果DRAM单价再跌至1美元，再无厂商可承受这价格并愿意生产。” 

        武汉芯片厂决定将放弃DRAM生产，难道是张汝京言论的应验？武汉新芯集成电路制造有限公司总裁办副主任舒扬说，DRAM市场的利润被摊薄，迫使中芯国际武汉芯片厂必须掂量一旦投产后做什么产品。 

        据介绍，中芯国际作为全球第三大芯片代工企业，可以上生产的产品很多，其中包括90纳米逻辑芯片、动态存储器、静态存储器、闪存等等。这些产品是各类消费电子产品如计算机、数码相机、MP4、手机等的核心部件。 

        由于受到相关法律的约束，逻辑芯片在武汉难以投产。加之，动态存储器市场价格急剧下滑，艰难的选择摆在刘丹平面前。他向记者明确表示，武汉芯片厂投产后，主打产品将不再是动态储存器，而转向毛利率较高的闪存存储器。 

        调整生产线不耽误正式投产 

        在光谷，中芯国际武汉芯片厂一排排主体厂房业已建成，34公里长的污水处理管道也已铺设完毕，芯片生产制造的设备正在陆续到位，中芯国际武汉芯片厂何时投产？ 

        舒扬称“由于客户群的变化，在汉生产线将面临着调整，投产时间可能会比原定时间稍稍推迟。” 

        “目前，政府投资的百亿元资金已经到位，其中有80亿元用来向国内外购买生产设备。”舒扬说，自2006年6月28日正式开工建设以来，各项工作严格按计划节点推进。“虽然生产线将有所调整，但对今年一季度正式投产没有太大的影响。” 

        中芯国际武汉芯片厂12英寸集成电路生产线项目，由省市联合投资，委托中芯国际经营管理。其中，项目一期工程的总投资高达107亿元。 

        业内人士分析说，武汉现有芯片设计企业20多家，有下游的手机生产厂商武汉NEC、通信设备厂商烽火科技等，中芯国际引入武汉之后，会在光谷形成相对完善的上下游产业链。中芯国际武汉芯片厂在汉投产后，会吸引来上下游配套产业前来投资。 

        针对中芯国际在汉弃产动态存储器(DRAM)，将主打产品转向毛利率较高的闪存存储器(flash)。作为投资方之一，东湖高新区管委会副主任俞毓林说：“这次中芯国际变脸是为了光谷更好的发展。” 在俞毓林看来，厂家选择什么样的产品生产，是正常的市场行为。