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    2008年2月19日硅谷动力资讯中心获悉:近日,东芝宣布成功开发出专用于16-Gigabit (Gb)NAND闪存芯片的新技术。 

  据悉,此款闪存采用43纳米工艺技术制造,由东芝与美国SanDisk公司共同开发。这种新型芯片技术已于2月6日在旧金山举行的2008年度国际固态电路大会(ISSCC)上崭露头角。 

  新型16Gb产品的芯片大小约为120平方毫米,比东芝和SanDisk共同开发、采用56纳米工艺技术制造的同密度NAND闪存小30%左右。这款新品的存储单元聚集在平行排列的64单元NAND串中,并且受其控制,存储单元的数量是56纳米产品的一倍,两端均配有一个虚设的字线单元,用于避免程序干扰。这种技术有助于减少选择栅的数量并且提高存储区的效率。同时,通过在电路中加入高压开关,减少字线驱动所需的控制栅驱动电路数量,其对外围电路设计的改进可减小芯片体积。这款产品的接地总线排布在存储单元阵列上。 

  另悉,东芝已从2月7日开始出货16Gb单芯片、多层单元(MLC)NAND闪存的样品,预计今年三季度开始量产。 

  结合先进工艺和MLC技术,不断提高生产效率,东芝希望以此增强其成本竞争力,满足NAND闪存市场的需求。
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