三星电子研发出世界首款40纳米内存

近日消息，三星电子研制开发出了世界首款40纳米工艺DDR2动态内存产品（1纳米等于十亿分之一米）。继05年率先开发出60纳米内存，06年开发出50纳米内存后，09年伊始三星电子再次通过成功开发40纳米动态内存产品，向外界宣告了其领先的竞争力。

计划2010年开始正式进行40纳米内存产品批量生产

据了解三星电子内存升级产品量产的时间为：07年3月实现60纳米内存量产、08年4月实现50纳米内存量产、09年第3季度将实现40纳米内存产品的量产。

三星电子计划通过本次开发的40纳米1G DDR2内存制造工艺，在09年实现40纳米2G DDR3的开发和量产。从06年开发出50纳米内存产品到08年实现量产，用了两年的时间，而此次工艺更为精湛的40纳米产品开发到量产只用了一年。

40纳米2G DDR3内存比08年9月量产的50纳米2G DDR3生产效率可提高约60%。相对于其他生产50至60纳米内存的企业，三星电子借此确保了1至2年的领先优势。

40纳米内存与50纳米产品相比不仅缩小了芯片面积，提高了生产率，还强化了低电低压的特点，使1.2V环境下运行成为可能。因此40纳米内存能够比50纳米1.5V内存减耗30%以上。这样就能够为服务器等高耗能设备提供更加环保高效的能源解决方案。

三星电子通过抢占40纳米内存市场，一方面开拓了强调环保性能的高附加值内存市场，同时为未来开发DDR4等高速下一代大容量高性能产品打下了良好的基础。三星电子计划将继续保持业内最领先的技术水平以确保领先的竞争力。

三星电子借40纳米产品成为业内惟一获得英特尔双重认证的企业（单品和模块分别获得认证）

值得一提的是，本次三星开发的40纳米DDR2产品，继08年12月通过了英特单品使用测试之后，09年1月1G DDR2 SoDIMM模块组也通过了英特尔使用测试，是内存供应商中唯一一个获得双重英特尔认证的企业。