宏力半导体发布0.13微米嵌入式闪存制程

上海宏力半导体制造有限公司 (宏力半导体)，发布其先进的0.13微米嵌入式闪存制程。

宏力半导体的新0.13微米嵌入式闪存制程结合了其已经量产的自对准分栅闪存技术和自身的0.13微米逻辑技术。该授权闪存技术具有单元尺寸小，编程效率高和无过度擦除的优点，显著减少了嵌入式闪存模块的面积，在市场上极具竞争力。与此同时，此新技术具有极高的耐擦写能力和数据保持特性，可重复擦写10万次，数据可保留100年。

该新制程兼容了宏力半导体0.13微米所有的通用和低功耗逻辑制程，易于技术迁移。此兼容特性可确保让客户购买的标准单元库和IP效益最大化，从而降低成本。

另外，宏力半导体针对SIM card特别提供了低成本高效益的dual-gate解决方案。该方案在0.13微米的低功耗逻辑制程中省去了3.3V器件，因此可以节省光罩层数。

 “宏力正在进行独立闪存芯片的大批量运行生产，这使我们具有明显的优势来确保稳定可靠的嵌入式闪存良率。”宏力半导体市场服务单位副总裁卫彼得博士表示，“该新技术可广泛应用于MCU、USB 密钥、智能卡、汽车电子等领域，并为我们的客户提供了颇具吸引力的低功率、低成本高效益的平台。”