美日韩阵营鼎立 DRAM产业淘汰赛没有终点

2009年全球DRAM产业从全球前五强变成四强鼎立，欧系代表奇梦达(Qimonda)正式退出市场，也宣告沟槽式技术阵营的结束。展望2010年DRAM产业新页，将会是美、日、韩阵营合写历史，但目前台湾的DRAM版图中，韩系已消失，未来台湾分为美、日两阵营来抵御三星电子(Samsung Electronics )的势力坐大，惟产业淘汰赛没有终点，最后一名很容易跟随奇梦达的命运，因此美光(Micron)和尔必达(Elpida)未来竞争会更为激烈，且台湾将成为美、日两阵营比划武功的重要战场。

DRAM产业在所有半导体产业中的成本敏感度最高，永远需要最先进的机器设备和最新的制程技术，才能存活。唯有比竞争对手领先一步转进50纳米或是40纳米，才能让成本进一步降低。

但左右DRAM成本高低的，其实并非只在技术层面，还包括生产基地的良窳，例如DRAM产业早已全面进入12吋厂时代，8吋厂不可能存活下来，而台湾的低制造成本优势，更是DRAM产业滋养成长的温床，未来台DRAM厂料将延续此优势，在2010年全球DRAM市场中占有一席之地。

奇梦达注定淘汰命运

举例来说，过去奇梦达就是在技术和生产基地上都出问题，注定了狼狈退出DRAM产业的命运。 2009年初奇梦达申请破产，当时正是台湾农历春节连假的第1天，从此奇梦达就消失在全球DRAM产业版图中，也代表欧洲在全球DRAM产业竞争的落败，以及沟槽式技术的寿终正寝。

奇梦达过去和台厂的渊源相当深厚，前身英飞凌(Infineon)是茂德的合作伙伴，双方在2003年正式拆伙，之后与南亚科、华邦等台厂合作，是沟槽式技术阵营的代表。 2006年沟槽式阵营的市占率最高达曾达23%，2007年已下滑至18%，市占率的下滑也使得设备商投入的研发资金要选边站，沟槽式技术的设备商越来越少，设备越来越贵，加上0.11微米之后就没有优势，因此奇梦达的技术开发成本的确越来越高。

奇梦达当然也知道技术瓶颈终于来临，因此也自己研发出埋入式闸极字元线连结(Buried Wordline)技术，转而研发堆叠式技术架构，更宣布与尔必达技术合作开发4F2技术，将Buried Wordline技术提供给尔必达合作开发新技术，颇有化敌为友之意，但所有的努力却在金融风暴来临后功亏一篑，技术虽好，但没有钱代表连存活的技术都没有，奇梦达最终宣布破产。
合作伙伴的倒戈，也是压垮奇梦达的1根稻草。 2008年3月南亚科正式和奇梦达分道扬镳，与过去从来不曾和他人分享技术的美光，签下技术合作合约。由此可知，资金、技术虽是2010年以后DRAM产业发展的重要关键，但是策略联盟的伙伴关系也将继续具有不可替代的影响力。

台DRAM厂携手美、日抗韩

就以2009年退出台湾DRAM市场的海力士(Hynix)来说，因台湾政府主导的DRAM产业整合中，营造了联合美、日一起抗韩的气氛，锁定三星电子为最大敌人，海力士身在韩营，因此黯然退出台湾DRAM市场，原本的合作伙伴茂德则转投尔必达怀抱。
不论台湾DRAM产业整合结果为何，台湾DRAM产业终究是分为台美、台日两线发展，对抗三星是共同的目标，这点其实和政府整合计画的原意相仿。

但在共同面对三星这个巨大敌人的同时，2010年的美光和尔必达可能要先彼此争相出头，因为谁挤进了全球前3强(前2强为三星和海力士)的门票，就可以立于不败之地，尤其不能当上最后1名，因为未来的DRAM市场竞争只会更严峻，不论是技术、产能、资金等规模，最后1名的业者随时得面对被淘汰的危机。

资金匮乏　筑下50纳米战争的天险

在技术制程上，美光和尔必达2009年都缺席于50纳米大战，主要原因是资金不足，没有多余资金引进新的机器设备，但两阵营这口气当然咽不下去，随着DRAM产业景气快速复苏，美光和尔必达2010年将重整士气，前进50纳米和40纳米制程。
转进50纳米制程对于DRAM厂是重要的竞争分水岭，因为导入50纳米制程需要导入浸润式微显影(Immersion Scanner)机台，1台价格超过新台币10亿元，但平均1台只能做约1万片产能，如果1座晶圆厂的规模是单月10万片，就要购买10台的Immersion Scanner设备，要花上100亿元，由此可知，50纳米制程世代比的绝对是口袋的深度。

美光的50纳米制程在2009年初在美国麻州Virginia厂开始试产，2010年预计50纳米制程也将进入量产，同阵营的南亚科和华亚科，2010年也是重兵放在50纳米制程上，南亚科旗下3万片的12吋厂产能，和华亚科旗下高达13万片的12吋厂产能2010年都要全数转进50纳米。由此可知，2010年的DRAM产业将是新制程的挑战赛，比技术也比时间。

美光技术＋台塑财力称霸台湾DRAM产业

对南亚科和华亚科而言，因为在转制程同时，等同是从沟槽式技术要转换到堆叠式技术，部分机器设备、制程设计都要改变，相较其他同业，会走的比同业艰辛，但只要跨出这一步，未来40纳米和30纳米相对容易许多。为了确保制程和技术转换顺利，南亚科在2009年下半先导入68纳米的美光沟槽式制程做练兵，确定沟槽式技术无虑后，再转进50纳米制程，华亚科则随后加入。
南亚科和华亚科为了转进50纳米，也开始密集募资，南亚科办理3次募资总共获得462亿元的资金，银弹相当充沛。华亚科也不遑多让，2009年8月办理海外存托凭证募得102.52亿元，这次现金增资预计可募得近150亿元，合计两次募资可获得250亿元；台塑集团旗下DRAM厂抢钱的功力一流，更是羡煞众多同业。

有了南亚科和华亚科的支援，美光本身也同时进行40纳米制程的研发，由新加坡厂导入试产，未来到了40纳米制程，由于Immersion Scanner机台都可以共用，所需的费用就可以大大减少。由此推测，在美光精进的技术加上台塑集团财力的奥援，2010年南亚科和华亚科的DRAM势力颇有想像空间。

尔必达卧薪尝胆2010年将一举跨到40纳米

台湾另1个DRAM联盟的带头者则是尔必达。 2009年的金融风暴重伤DRAM产业，也使得尔必达一度面临财务危机，是继奇梦达之后，市场认为最有可能走向破产的DRAM阵营，也因此尔必达当时密切与台湾政府合作，希望能获得台湾金援。此外，尔必达内部也拟好两套作战计画，以应付当时的艰辛困局。

1个是利用现有65纳米技术作微缩，研发出65纳米XS版本，让产能多出20%；另1个是决定舍弃50纳米，且在2010年直接跳到40纳米制程技术。尔必达内部评估，如果公司2010年才转到50纳米制程，那么三星2010年的40纳米早已量产出货，整个技术断层仍是存在，但如果能直接跳到40纳米制程，届时成本竞争力有机会与三星一较高下。

尔必达的40纳米制程初期会由6F2制程技术切入，目前已宣布研发成功，到了40纳米4F2制程阶段，研发重心会由日本广岛移到台湾，日前尔必达与瑞晶宣布成立研发中心，预计2009、2010两年合计投资8,000万美元，落实台日双方的生产及研发工作。

海力士黯然退出台湾成为整合下最大苦主

此外，评断2010年各家DRAM厂势力变化的关键因素时，可不能遗忘海力士的存在。海力士在全球记忆体产业中，一直有独特的生存之道，例如海力士对NAND Flash即投注相当大的财力与技术研发。过去海力士由于48纳米制程不顺，因此NAND Flash技术发展不顺，再加上海力士很多NAND Flash产能都是在8吋厂生产，不具竞争力，因此将旗下8吋厂大量退役，这些因素都使得海力士的NAND Flash产能受到影响。

在此同时，竞争对手三星和东芝(Toshiba)在NAND Flash市场战斗力十足，市占率持续扩大，都各自保持在30%，且原本市占率落后的美光和英特尔(Intel)的IM Flash阵营， 2009年凭借着34纳米制程量产，是全球第1个跨入30纳米世代的NAND Flash业者，对海力士形成极大威胁。

2009年下半美光在NAND Flash市场的市占率一度超越海力士，抢下全球3哥宝座，但目前海力士32纳米制程已正式量产成功，目前也开始小量出货，预计海力士可重拾产业竞争力，因此2010年各家NAND Flash市占的变化将精采可期。尤其最近持有海力士股权28%的债权银行，打算出脱部分持股，日前也传出阿拉伯联合大公国有兴趣投资部分海力士股权，此消息显示海力士的产业竞争力备受肯定，2010年美光、尔必达等对手得多加把劲，才有机会超越海力士。

台湾成美、日重要战场

整体来看，南韩、美国、日本在DRAM产业的竞争赛，未来仍会如火如荼进行。走过金融风暴的摧残，DRAM价格也开始反弹，各厂开始赚钱，整装待发进行下一轮比赛，台湾DRAM业者的未来，也跟随着国际大厂的势力消长而不断变动中。

未来台湾DRAM产业的发展确定是台美、台日双线出击，最大敌人是三星，除了依赖母厂技术的优劣外，最大的关键仍是资金，也因此市场格外看好美光和南亚科、华亚科阵营，认为有台塑集团的支持，等于有庞大的银库做支援。

短期之内，台湾还是维持台美、台日两阵营最有利，毕竟美、日都是全球第3、第4，在还没有分出胜负前，仓促压宝恐赔上台湾累积数10年的DRAM产业根基。

尔必达在台湾产能之争上收获丰富，未来40纳米若能成功量产，全球竞争力不可小觑；美光有台塑集团的财力加持，在资金竞争力上明显胜出，在此美、日两阵营的壮大下，台湾成为DRAM重要的战场，台厂也应该借着与国际大厂合作的机会，增加自己的竞争力、研发实力和价值，彼此才能并驾齐驱，达到挑战三星的目标。